工具与软件:
您好!
我正在测试 TPS2662电子保险丝功能、以便将其替换为高侧 PMOS 开关。 我的职责是保护该高侧开关免受过流情况的影响(使用简单的 PMOS 很可能实现这一点)。
这是电路:
我不使用 UVLO 和 OVP 功能、因此我默认禁用它们。 我尚未在 dVdT 中放置电容器、因为它可能会悬空(我稍后将介绍)。
在输入电压为12V 的情况下,它运行良好,我已经用示波器监控 nFLT 信号,但我没有捕获导致 IC 被熔断:(
但是、当我将 VIN 调到更高(24V)时、IC 会烧毁。 我怀疑这可能与 DVDT 引脚的软启动功能有关。 电压越高、压摆率越高、因此可能使用默认内部值时、24V 的压摆率可能会损坏 IC。
我没有将电容器放入电容器中、也没有将电容器放入电容器中、因为电路只是一个原型。
有人能告诉我、我是对的、还是错误可能是其他问题吗?
IC 的确切 PN 是 TPS26621。
此致、
Gorka。