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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1467055/ucc27537-getting-damaged-frequently
工具与软件：
您好！
在下面的电路中、IC UCC27537会持续损坏。 有人能帮忙识别问题吗？
SIS434DN-T1-GE3是电路中使用的 MOSFET。
此致、
PK
嗨、
感谢您就您关于 UCC27537的问题联系 TI。
在您的原理图中、我有一些建议和问题：
1. VDD–GND 上应该有一个旁路电容。 这时应为1uF 的 X7R 陶瓷电容器。 此外、最好并联一个100nF X7R 陶瓷电容器以实现瞬态响应。 这些电容器应尽可能靠近驱动器放置。 数据表的第11节"电源相关建议"和第12节"布局"对此进行了概述。
420欧姆栅极电阻器可能会极大地减缓 MOSFET 的上升/下降。 更常见的情况是低于100欧姆、可以进行更改、以帮助控制 FET 导通和关断的上升和下降时间。
3.我们建议在 IN 引脚上使用0-100欧姆和10-100pF 的 RC 滤波器对 PWM 信号进行噪声滤波。
4.还请截取显示 VDD、OUT、EN 和 IN 引脚的波形。 应该放大该图、以便在窗口中显示一个 OUT 脉冲。
如果还有其他问题、请告诉我。
谢谢！
William Moore
感谢 William、快速响应。
我已实施您的建议、未发现任何失败。
让我继续观察几天,我会更新你.
很高兴听到我的建议成功了、您没有遇到问题。
我将关闭该主题、如果您有任何问题或疑问、请回复重新打开该主题并继续讨论。
