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[参考译文] TPSM863257:输入电压为 Vin 时的空载电流23mA

Guru**** 2381120 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSM863257, TPSM82901, TPSM863252
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462011/tpsm863257-no-load-current-23ma-at-vin-voltage

器件型号:TPSM863257
Thread 中讨论的其他器件: TPSM82901TPSM863252

工具与软件:

你(们)好  

Vin 为8V、而我们在 Vout 3V3处使用 TPSM863257。 在空载但启用的情况下、器件在8V 时消耗~μ V 23mA。  

对于导致此电流的原因、您有什么建议吗?数据表中指出此电流值应为100uA 或370uA。  

谢谢。此致

Marshall

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    尊敬的马歇尔:

    我这周不在办公室。 我会在下周早些时候向您提供我的反馈。 谢谢!

    BRS

    卢西亚

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    尊敬的 Marshall:

    数据表中的100uA/370uA 是指 IQ。 请找到 Iq 的定义、它在无负载输入电流下会有所不同。

    IQ:它是什么、不是什么以及如何使用

    谢谢!

    BRS

    卢西亚

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    感谢链接。 您是否认为为了保持稳定的输出电压、应该有23mA 空载输入电流?

    由于器件具有内部电感器、您可以假设整个器件的 IQ 是如此吗? 仅为整个 IC 的一个小(内部)部分提供 IQ 似乎有点困难

    我们有>1000pc 的此设备为电池供电的设备, 23mA 是超过我们的整个应用负载。  

    希望能就如何改进这项工作提出任何建议。  

    谢谢  
    Marshall

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    尊敬的 Marshall:

    对于电池应用、为了延长电池寿命、我推荐 TPSM82901、这是一款采用 PSM 运行的低 Iq 解决方案。

    谢谢!

    BRS

    卢西亚

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    谢谢、Lucia、您能否确认预计会出现空载的23mA?

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    尊敬的 Marshall:

    是的、有道理。 谢谢!

    BRS

    卢西亚

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    尊敬的 Lucia:

    我和 Marshall 一起工作、一直在努力了解23 mA 的发展方向。

    您链接的应用手册指出的 Iq 是" 空载和非开关但启用状态下的电流消耗"。 它还注意到"一些损耗始终存在于输出端、例如用于设置输出电压的分压器产生的损耗;流入负载或通过输出电容器的漏电流;上拉电阻器等 由于这些损耗会导致输出电容器发生电压衰减、因此 IC 必须时常开关以补充功率损失。"

    在我们的电路中、我们可以看到输出负载电流将为纯泄漏(电阻分压器以及通过电容器损失的任何东西)。 在我们的测试中、3.3V 电源轨上没有额外的器件。  我希望 R44和 R45电流为20微安(由于 R22为0欧姆、R4不在电路中)。  我预计电容器泄漏电流的单位为纳安(绝缘电阻为10兆欧)。

    您能否说明一下如何配置电路来自行测量 IQ 电流? 我看到数据表第8页提供了一个图(图6-2)、并展示了 TPSM863257在整个温度范围内的静态电流。

    我在数据表中没有看到任何开关损耗或无负载(但开关)电流的情况。 也许这隐藏在效率图中? 在10 mA 负载、3.3V 输出和12V 输入条件下、该值约为9%。 10 mA 足够大、我们可以忽略流经电容器和反馈网络的泄漏。 我们预计需要 12V 输入上的31 mA 来为该负载供电。

    实际上、我看到31 mA 没有负载、33 mA 有10 mA 负载(这非常接近数据表图)。

    如果我替换 为 TPSM863252、您希望看到什么?该器件具有 Eco 模式、也许更适合我们的应用。

    您的另一个建议 TPSM82901对我们来说也很有趣、但它的尺寸不同、因此我们无法返工我们已经拥有的任何器件。

    此致、

    Dan

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    Dan、您好。

    有。 开关损耗是空载时产生23mA 电流的主要部分。

    基本上、IQ 是主要由控制器消耗的静态电流。 我们的转换器由模拟控制器控制、因此电路在开/关状态下不能作为数字 CMOS 电路工作、大多数电路在具有偏置电流的饱和区使用 CMOS。 在轻负载运行条件下、即使在非开关条件下、产生电压/电流偏置的电路和类似比较器偏置的电路仍在工作并消耗电流。 那么、这些就是 IQ 的来源。

    对于 Eco-mode 稳压器、在轻负载或无负载的情况下、开关频率将自动降低、负载电流较小。 因此、在空载条件下、开关损耗很小、控制器 Iq 损耗在总功率损耗中占很大比例。 但对于轻负载条件下的 FCCM 稳压器、开关频率几乎与重负载相同。 开关损耗是绝对主要的损耗、可能使开关 Iq 从数百 uA 级提高到 mA 级。

    测试 FCCM 器件非开关 IQ 的一种方法是:首先启用降压转换器、然后使用外部直流电源将 Vout 拉至 OVP 阈值以上。 然后、降压稳压器将停止开关、您可以测量输入的非开关 Iq。

    但对于应用用途、只需将 TPSM863257替换为 Eco-mode TPSM863252即可大幅降低开关 Iq。

    谢谢!

    Andrew