工具与软件：
早上好、
我有一个使用传统 N 沟道 MOSFET 的现有设计用于降压/升压直流/直流转换器、这是我们在现场已经使用多年的设计。 我们现在要增加功率、面临传统 FET 的热管理问题。 我们正在使用不同的 MOSFET 和热管理选项进行原型设计、但我想要尝试的一件事是集成 GaN 技术以比较效率和热结果。 长期目标是使用 MCU 进行直接驱动、因为 LMG3100的设计更直接、但我想 先证明其优势(对于那些讨厌的预算编制的人而言)、然后才能编写所有固件来管理专用 IC 当今管理的功能。
在数据表上花了很多时间后、似乎这样可以使用现有 IC 中的栅极信号来驱动 LMG3100 LI 输入、因为 GaN 驱动器是集成的。
以下是我确定的几个问题：
-现有的 IC 以6.3V 的电压驱动栅极,相对于每个 MOSFET 的源极(低侧和高侧)。 为了进行快速测试、我计划将其通过一个二极管进行简单0.7V 压降、使其处于 LMG3100的绝对最大额定值范围内。 我 相信有更好的方法来做这个长期,但如果你有任何其他的快速建议,请告诉我。
-我需要为四个 LMG3100 IC 供电的 IC 内部 VCC (6.3V)的额定电压为20 mA、因此它肯定在推动功率限制。 这是太阳能输入、因此我需要先使用 IntVCC 为 IC 供电、以便为系统供电、但之后我可以切换到具有更大功率的外部电源稳压器。 对于 系统最初启动时的第一个开关事件、对于四个 LMG3100的电源要求、您有什么建议吗？ 同样、这仅用于原型设计 和初始结果、因此如果需要、我现在可以使用外部电源来进行驱动。
-驱动 IC 的压摆率和死区时间不在数据表中。 我需要捕获一些波形。 但是、由于 IC 可以成功驱动传统 MOSFET、因此显然已经在所有 PWM 驱动器中插入死区时间。 由于 GaN 开关速度更快、是否最好执行更类似于 EVM 的操作？在 EVM 中、高侧由单个 PWM 的 RC 延迟电路驱动(仅使用来自 IC 的低侧栅极信号)？ 这对于转换会更高效吗？
-对于降压或升压转换器来说, EVM 套件非常简单。 在将其设为降压/升压转换器(使用四个开关而不是两个)时、我需要考虑哪些注意事项？
-还有其他想法吗?
我起草了一份原理图、我很乐意分享、但我无法公开分享。
谢谢！
克里斯
