• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 89 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19534Q5A：CSD19534Q5A：

admin
Guru**** 2382480 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468293/csd19534q5a-csd19534q5a

器件型号：CSD19534Q5A

工具与软件：

您好！

我们使用 TI MOSFET 设计双极性开关、以用于其中一项产品增强功能。 我们在 Cybernet 上看到了一个参考设计、需要了解电阻器和电容器在以下电路中的影响。 我们计划保持如下所示的类似电路

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Murugavel、

    感谢您关注 TI FET。 如果驱动栅极的信号保持悬空、则 FET 栅源极之间的电阻似乎是下拉电阻、以确保 VGS≈0V。 栅源电容器会减慢 FET 的开关速度。 对于该应用、您将需要更高电压的 FET、因为230VAC 的峰值为325v。 我会考虑为该应用使用400V FET。 遗憾的是、TI 的 N 沟道 FET 最大只能达到100V 我们没有任何具有更高击穿电压的 FET。 如果您有任何问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用