[参考译文] BQ76952：高侧驱动器驱动强度和内部开关电阻

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468136/bq76952-high-side-driver-drive-strength-and-internal-switch-resistance

器件型号：BQ76952

工具与软件：

为了计算开关时序、我会搜索有关内部高侧驱动器的更多信息。

引脚等效图内部显示了使 FET "导通"的内部 FET。该驱动器的电阻值是多少。

驱动 FET 时到 CHG 和 DSG 引脚的最小串联(GATE)电阻是多少？我可以在不损坏 BQ 芯片的情况下放置0r 吗？

我知道快速开关还有其他问题、但我想了解 BQ 芯片能够提供的最大可能值。

谢谢

9 个月前

0 admin 9 个月前

TI__Guru**** 2445440 points

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您好、Max：

引脚等效图显示了我们无法表征共享的内部的简化电路。

您可以将一个0r 串联到 DSG/CHG 引脚、如所示 图5-11. FET 原理图 BQ76952EVM 用户指南中的说明。

第16.5节 FET 驱动器关断 和中提供 第6节 CHG 驱动器 和 第8节 DSG 驱动程序 本应用手册中的内容也可帮助您了解有关 FET 驱动器的更多信息。

此致、
Alexis

0 admin 9 个月前

TI__Guru**** 2445440 points

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从 BQ76952EVM 中原理图图图图5-11中可以看出、THER 始终是至少一个与 DSG 和 CHG 引脚串联的5.1k 电阻器(不是0r)。由于我不理解您的反馈、请更详细地解释。

第16.5节仅显示 FET 驱动器的关断、而对导通一无所知。也没有有效的合成来源。

应用手册"多个 FET"中对不同的开关导通特性进行了测量。所用/所示的最小值为100R、但不低于该值。这是限制吗？

如果您可以向我提供额外的反馈、以了解 BQ 在小串联电阻方面的限制以及 DSG 和 CHG 引脚的内部电阻是多少、那会很好。

谢谢

0 admin 9 个月前

TI__Guru**** 2445440 points

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您好、Max：

为困惑道歉。栅极电阻为0欧姆时指的是 R56、如 EVM 原理图中所示。

Unknown 说：
应用手册"多个 FET"中提供了不同开关导通特性的测量值。所用/所示的最小值为100R、但不低于该值。这是限制吗？

不建议使用低于100欧姆的引脚电阻器来将引脚与电流路径隔离。

此致、
Alexis

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