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您好！
在两年前、我们用 LM43603开发了新器件。 此设计是通过 WEBENCH 设计器完成的。 输入电压12-28VDC、输出电压5V、最大输出电流3A、Cout 180uF 聚合物有机电容器、RT - 115k Ω、CFF - 51pF。 其余组件与 DEV 类似。 位置。
一旦输出电压就绪且 PGOOD 被激活(状态为高电平)、一个简单的 MOSFET 开关被启用、并且所有外设模块均具有5V 电源电压。
2周前、我们发现3个设备无法正常工作。 由于输出电容的容差为+/-20%、因此无法启动外设模块。 信号 PGOOD 被定期激活。
我们发现、每次激活开关都会导致非常大的压降(高达1.7V)、持续时间高达200us。 当 Cout 大于200uF (加上10-20%容差)时、这不是问题。 在这3个不良器件中、输出电容器为186uF、无法启动外设模块。 每次尝试打开电源开关时、都会激活信号 PGOOD。 增大 Cout 可以解决该问题。
我们有几个问题。
当输出电压在5V 范围内时、第一个 PGOOD 信号在大约400ms 后处于活动状态。 我们在数据表中没有找到关于400ms 这段时间间隔的具体信息。 您能给我们详细介绍一下吗？
当由于压降而导通 PGOOD 时、也会存在此时间间隔。 下一个 PGOOD 将再次在400ms 之后。
2.如何解读数据手册中的参数——Tpgood-rise 和 Tpgood-fall？ 在测量信号 UFB 和 PGOOD 时、我们不会看到这些抗尖峰脉冲延迟。
3.所有良好的设备和3个坏设备都有类似的行为。 压降几乎相同(1.68V 至1.72V)。 如果存在差异、它是如此之小、以至于我们看不到它在哪里。
最重要的问题是：当压降与不良器件中的压降相同时、为什么不会看到所有正常器件的信号 PGOOD 被激活？
请参阅随附的图片。 蓝线是具有如此大压降的 Vout。 黄线是引脚 FB 上的 UFB、也具有非常大的压降、
提前感谢您的回复。
