• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 7 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 314 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ76200：FET 驱动器 IC 功能

admin
Guru**** 2497325 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76200

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468648/bq76200-fet-driver-ic-capability

器件型号：BQ76200

工具与软件：

我们在设计中使用 BQ76200 FET 驱动器 IC。 从而导通32个具有16个充电 FET 和16个放电 FET 的 FET。 我们在 VDDCP 和 BAT 引脚之间保留了三个并联的3.3uF (总计9.9uF)电容器。

而 CHG MOSFET 每个 FET 的总栅极电荷为87nC、而 DSG  MOSFET 每个 FET 的总栅极电荷为67nC。 也有一个用于所有栅极引脚的10E 串联电阻。

BQ76200是否 能够 一次驱动32个 FET。

请尽快确认这种设计可能性。

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Bhanu：

    总共应该可以为 CHG 和 DSG 提供32个 FET、但是我们尚未进行测试。

    我建议如下 第6节"VDDCP 电容参考表" 在 适用于 bq76200高侧 N 沟道 FET 驱动器的 FET 配置 应用手册中、确保适当调整总 FET 输入电容和电荷泵电容。 我相信你为他们分享的当前价值观；这可能还不够。

    10欧姆串联电阻适用于栅极电阻。

    此致、
    Alexis

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alexis、

    感谢快速响应。

    在参考表中计算出的 VDDCP 电容后、我们得到的值为16X470nF=7.5uF、我们保留了三个并联的3.3uF、即9.9uF、这是可以保持的值、或者我们只能保持7.5uF。 请确认。 如果不够、请为32FET 共享正确的值。

    BQ76200栅极驱动器芯片的电荷值是多少。 是否足以  一次驱动或打开32FETS。 在我之前的 邮件中、我提到了我们在设计中使用的 MOSFET 的最大栅极电荷值

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Bhanu：

    您使用什么 MOSFET？

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Luis：

    充电： TPH2R408QM、L1Q

    放电模式： TPH3R70APL1

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Bhanu：

    您计算出的电容远大于所需的电容。

     DSG FET 的最大输入电容为6300pF、CHG FET 的最大输入电容为8300pF。

    对于32个 MOSFET (每个16个)、按23.5的比率(如应用手册中所述)、这将为233.6nF、您需要一个~5.5uF 的 Vddcp 电容器。 假定数据表中提供的最大输入电容为该值。 如果我们假设采用典型值、则所需的 Vddcp 电容可能更小。 您可以按照上面所做的计算来进行计算。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Luis：

    感谢计算值、我还有一些其他问题。

    1.如果我将 Vddcp 保持为9.9uF ,它会显示什么效果?

    2.栅极串联电阻 I 保持为10欧姆,栅极电流 IG=Vgs/Rg=10/10=1A。 即栅极电流消耗是否为1A。 是否需要 更改串联电阻？ 我的计算结果是否正确？ 请提出建议。

    3.在本应用手册 https://www.ti.com/lit/an/slua794/slua794.pdf?中、ts = 1738309768007中 的 CF 和 Cb 写为10nF、但我在设计中保留了100nF。 Rdsg 和 Rchg 值从100欧姆开始降到几千欧姆、但我保留了10欧姆。 我是否需要更改这些值？

    4.我能知道 BQ76200的内部电阻值 Ri1,Ri2,Ri3,Ri4,Ri5,Ri6吗?

    5. BQ796200 FET 驱动器 IC 的输出电荷是多少？  

    请提供这些信息。

  • 0
    TI__Guru**** 2497325 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Bhanu：

    1.如果我将 Vddcp 保持为9.9uF ,它会显示什么效果?
    我们还没有确定直至该电容的器件特征。 然而、电荷泵最初开启或从较大瞬态中恢复所需的时间可能会减慢。

    2.栅极串联电阻 I 保持为10欧姆,栅极电流 IG=Vgs/Rg=10/10=1A。 即栅极电流消耗是否为1A。 是否需要 更改串联电阻？ 我的计算结果是否正确？ 请提出建议。
    不、这不准确。 MOSFET 的导通是非线性的、我们的驱动器无法提供1A 的直流电流和也无法提供。 栅极串联电阻的主要目的是帮助缓解开关 MOSFET 期间的任何寄生振荡。 值较大或铁氧体磁珠可能会更好地抑制振荡。  

    3.在本应用手册 https://www.ti.com/lit/an/slua794/slua794.pdf?中、ts = 1738309768007中 的 CF 和 Cb 写为10nF、但我在设计中保留了100nF。 Rdsg 和 Rchg 值从100欧姆开始降到几千欧姆、但我保留了10欧姆。 我是否需要更改这些值？
    建议遵循应用手册中的建议。 如果它们与建议不匹配、请进行更改。

    4.我能知道 BQ76200的内部电阻值 Ri1,Ri2,Ri3,Ri4,Ri5,Ri6吗?
    这些是没有明确给出的。 但您可以查看 表 6.5电气特性-充电 /放电 FET 驱动器 以查看驱动器在开/关时的内部电阻

    5. BQ796200 FET 驱动器 IC 的输出电荷是多少？  
    数据表中有 FET 驱动器的表征规格。  

    此致、

    Luis Hernandez Salomon