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[参考译文] UCC27282：UCC27282的 HS 引脚已烧毁

admin
Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27282

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1480662/ucc27282-the-hs-pin-of-ucc27282-is-burnt-out

器件型号：UCC27282

工具与软件：

大家好、专家、我在将 UCC27282用于 BLDC 应用时遇到 HS 引脚烧毁的问题
1、这是我使用的原理图


2、电机适用于快速响应、高负载的场景、能够即时响应高负载。 使用开关电源(48V)供电时、一切都正常；但使用电池组(在58V 左右充满电)时、HS 会在电动机启动时烧断、并且随附的 MOS 晶体管也可能会损坏。

3、这是烧板

 

非常期待您的答复

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chun：

     

    感谢您联系我们。 我查看了您的原理图、发现 HB-HS 上的自举电容大于 VDD VSS 上的旁路电容。 旁路电容器为自举电容器提供电荷、因此建议旁路电容>=自举电容器的10倍。 有关自举电路的更多详细信息、请参阅以下常见问题解答： 针对半桥配置的自举电路选择(修订版 A)。

     

    由于问题发生在电机启动时、我想查看以下示波器截图：

    1. HO 和 HS 必须尽可能靠近器件、高侧 MOS 的漏极由48V 电源供电
    2. 使用58V 电池包时的相同引脚/探测点

     

    此外、该器件的完整运行条件是什么？ 开关频率、占空比、输出功率？

     

    谢谢！

    Vincent Liew

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、专家
    1、目前旁路电容确实很小、但是自举电容两端的电压却可以完全打开 MOS、所以问题可能不在这里。 这是 MOS 的导通电压和电流之间的关系


    2.闸极驱动芯片运行条件:输入中心对称互补 PWM ,频率8K,用于电机控制
    3.下面是测试点的波形。 由于在正常使用过程中会发生烧毁、因此很难捕捉波形。 以下波形的响应相对较慢、电流环路正在运行


    48V 电源的情况
    VGS (近 MOS 晶体管)、桥接


    V (ho -Hs)(靠近栅极驱动器芯片)


    60V 电源的情况
    VGS (近 MOS 晶体管)、桥接


    V (ho -Hs)(靠近栅极驱动器芯片)

    自举电容器两端的压降

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chun：

    我们的专家正在寻找它,并将在 EOD 明天之前与您联系。 感谢您的耐心和理解。

    此致！

    Pratik A.

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chun：

    感谢您观看示波器截图。  虽然自举电容器上的电压足以打开 MOS、但我仍然建议使用更大的旁路电容器来覆盖所有基极。

    是否可以共享布局？

    谢谢！

    Vincent Liew

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    专家、您好
    感谢您的建议。  我们将增大旁路电容器

    这是布局

    非常期待您的答复

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chun：

    HS、HO、LO、VDD 和 VSS 的布线都是高电流布线、应该更宽并更接近 MOSFET。 更多有关布局指南及其如何影响器件运行的信息、请参阅数据表的第10节。

    器件可能出现电感损坏。 您是否能够在相同示波器捕获中提供 HO-HS、HS 和 LO、并且关闭持久性？ 上升沿和下降沿的单独捕获、均在具有高带宽探头的栅极驱动器附近探测。

    谢谢！

    Vincent Liew