主题中讨论的其他器件: REF5030A-Q1、 REF50、REF50E 、 LM4040
工具与软件:
我想将 REF3130AQDBZRQ1用于 F28386的 ADC 基准电压。 我是否可以将输出端子的总电容设置为88uF (22uF x 4片并联)? REF31-Q1的输出电容值是否存在任何限制?
谢谢!
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工具与软件:
我想将 REF3130AQDBZRQ1用于 F28386的 ADC 基准电压。 我是否可以将输出端子的总电容设置为88uF (22uF x 4片并联)? REF31-Q1的输出电容值是否存在任何限制?
谢谢!
Ozan、您好!
我假设这用于 F28386的16位 ADC 选项。
对于16位 ADC、就最大负载电容或性能而言、REF31-Q1不是最佳选择。 我推荐以下器件之一:
REF5030AQDRQ1 (REF5030A-Q1、 https://www.ti.com/product/REF5030A-Q1 ):汽车级50µF、SOIC 封装的最大输出电容
REF5030AIDGKR (REF50、 https://www.ti.com/product/REF50 ): 50µF、VSSOP 封装的最大输出电容
REF50E ( https://www.ti.com/product/REF50E ):100µF、SOIC 封装的最大输出电容
如果您有任何其他问题、敬请告知。
谢谢!
Jackson
你好、杰克逊、你是对的。 我想对 VREFHIA、B、C 和 D 使用16位 ADC 选项、因此需要4个22uF 电容(总共最小88uF)。 我想使用一个 ADC 基准发生器、并想通过 VDDA 3.3V 生成此3V 基准。 为了产生3.3V 至3V 的电压、应该使用低压差 LDO (最大50-100mV 压降)。
在 REF31-Q1数据表中、添加了以下句子
"REF31xx-Q1无需负载电容器、可在任何电容负载下保持稳定"
考虑到所有这些、我不能使用 REF31-Q1? 因为 REF5030和 REF50E 系列的压降电压大于0.3V。
Ozan、您好!
对于该应用、我建议使用 REF50或 REF50E。 只要负载电流保持在~3 -4mA 以下、压降电压就应该合适:
REF50数据表的第11页显示了这一内容。 似乎在 F28386数据表的第155页和157页看到了 VREFHI 输入电流为190µA:
由于有4个 VREFHIx 引脚、因此从电压基准汲取的电流通常小于800µA。
谢谢!
Jackson
在第 7.11.2.3.1节中、给定的 VREFHI 最小电压为2.4V。 如果我们提供的 VREFHI 介于2.4V 至3V 之间、是否存在错误的转换或问题?
我的第二个问题:我需要使用超过88uF 的输出电容器、因此只有 REF50E 系列适用于最大电压 允许100uF 的输出电容、对吗?
mt 第三个问题、在 F28386数据表中190uA 是 VREFHI 的标称输入电流。 最大值是多少 VREFHI 的输入电流? 您说什么 max 最恶劣条件下的输入电流?
谢谢!
尊敬的 Ozan:
[报价 userid="433983" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1480851/ref31-q1-ref31-q1-output-capacitance-limit/5686499 #5686499"]我的第二个问题:我需要超过88uF 的输出电容器用量、因此只有 REF50E 系列对于最大值才有用 允许100uF 的输出电容、对吗? [报价]如果您只想使用一个 VREF、那么我在前面提到的选项中、只有 REF50E 可以用于100µF。
对于其它问题、我将在 F28386团队中重复并提供更多详细信息。
谢谢!
Jackson
尊敬的 Ozan:
当然。 与 REF31相比、REF50具有三个主要优势:
1.温漂:8ppm/°C
2.噪声:3ppm p-p
3、初始准确度:±0.1%
与 REF31-Q1相比、这类性能改进通常更适合16位 ADC 在增益误差和 ENOB 引起的预期测量精度方面通常所需的情况。
REF50E 是 REF50的增强版本、性能得到了更多改进。
根据这些信息、您可以决定哪款器件更适合您的系统。
我现在将允许 F28386 团队回答您的其余问题。
谢谢!
Jackson