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[参考译文] TPS650861:在 VSYS 处电压快速变化期间、PMIC 会降低电压

Guru**** 2390730 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS650861
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1474731/tps650861-the-pmic-ramps-down-voltages-during-fast-change-in-voltage-at-vsys

器件型号:TPS650861

工具与软件:

尊敬的 PMIC 专家:

我的系统有2块板。 电路板1是交流(L、N 和 GND 导体)到12V 直流电源。 电路板2是一个数字电路板、其中 TPS650861从电源板获取12VDC、并为各种元件(CPU、DDR、eMMC...)生成许多电源轨。

正常运行期间一切都很好。 不过、当施加电源线路浪涌(IEC 61000-4-5)(L 或 N 至 GND)时、我可以看到电源电压会快速增加0.5V、持续时间为250ns。 这种增加反映为 PMIC 输出电压(包括 LDO5P0)下降数十微秒。 此波动似乎会导致系统级错误、有时会复位。

是否有办法防止 PMIC 出现这种过度反应?


您是否可以打开私人聊天以便我可以提交原理图和示波器捕获?

此致、

Ioan

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    Joan、您好!

    美国2月17日公共假日 他们将 在下一个工作日回到您的身边。  

    BR, Jari.

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    尊敬的 Ioan:

    感谢您在 e2e 上联系我们。 您可以向我发送私人消息。

    您是否尝试过增加 VSYS 处的电容值并查看是否可以控制它?

    Sathish

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    您好!

    增大 VSYS 上的电容仅略微降低了电压增大、但仍然所有 PMIC 输出都会下降。

    数据表中几乎没有关于 Vbias 的详细信息。 仅表明电容器的典型值为100nF。 此内部稳压器是否可能出现问题? 可以使用哪些其他值。

    此致、

    Ioan

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    您好!

    也将 Vbias 电容增加至200n。 没有变化。 已将与1U 并行的100nF 添加到 LDO5P0并且未做任何更改。

    始终所有电源轨下降(LDO5P0、所有 PMIC 输出)。 可能是什么原因?

    此致、

    错误提示-页面未找到抱歉,你所发送的页面不存在!

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    您好!

    LDO5P0上的总电容为4u7 (在其输出引脚56处)+ 2u2 (在 DRV5V_2_A1引脚8处)+ 2u2 (在 DRV5V_1_6引脚38处)

    此致、

    Ioan

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    尊敬的 Ioan:

    感谢您发送编修。 在引脚 V5ANA 和引脚 PVIN345处有多大的电容? 请尝试增加这些电容值、这是实现更好的瞬态性能所必需的。

    对于控制器、请尝试将电容在 DRV5V_x_x 处加倍

    Sathish

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    尊敬的 Sathish:

    V5ANA 连接到为系统生成3.3V 电压的 PIMIC 输出。 在这个电源轨上有许多电容器。 在 V5ANA 的旁边有4u7、但正如我提到的、电容要大得多...我没有统计所有的电容、但可能约为200-300 uF。

    每个 PVIN (3、4、5)具有10uF。

    Vref 具有200nF。

    但为什么 LDO5P0也会下降(4u7+2u2+2u2)? (此电源轨与 PMIC、逻辑控制输入或我了解的任何其他内容无关;它只是一个没有电压保护的 LDO;我在这里遗漏了什么?)  

    此致、

    Ioan

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    尊敬的 Ioan:

    我得到的原理图是 Stefan 的。

    与任何其他稳压器类似、LDO5P0有一些 PSRR 值、我在数据表中看不到该值、并会受到 VSYS 处任何电压瞬变的影响。

    PMIC 输入是否需要某种浪涌保护器件?

    Sathish

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    尊敬的 Sathish:

    该输入端的电压(VSYS)完全在数据表中指定的范围内。 这意味着浪涌不是问题。

    如果有问题、PSRR 可能就是其中之一。

    此致、

    Ioan

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    尊敬的 Ioan:

    我咨询了系统工程师、通常交流/直流前置稳压器应该负责这方面的工作。  

    您是否尝试过在前置稳压器输出端添加额外电容?

    Sathish

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    Ioan

    原理图在 VSYS 处具有1uF、您将其增加到了多少?

    Sathish

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    Ioan

    我正在考虑添加一些高频电容器来降低电源尖峰。

    您可以从0.1uF 开始、可能还需要使用其他一些值进行实验。

    Sathish

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    请参阅 C722、C723、C731、C734、C733、C735和 C702。 它是很多的。

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    我们已经提到过100N 和200N 尝试过。

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    电容器的设计已经尝试过大型电解电容器。 没有变化。

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    Ioan

    您提到了在 LDO5P0处将 Vref 电容从100nF 增加到200nF、并将100nF 并联到1uF。

    您是否尝试过在 VSYS 上添加100nF? VSYS 是主要系统输入电压和内部 LDO 的5V 和3.3V 输入。

    Sathish

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    尊敬的 Sathish:

    我在很多地方添加了100nF、但行为没有变化。

    现在有一个问题与 Buck2相关。 它具有反馈引脚1和2 (FBVOUT2和 FBGND2)。 中未填充 R725。 我能否在此位置安装电容器来滤除任何潜在的反馈噪声? 最大值是多少? (我尝试了100nF、但我觉得在我的测试中它更糟糕)

    我还在引脚13 (CTL1)处添加了100nF (以及1uF)、以启用 Buck2 (根据我的编程)。 此输入的敏感性如何? (注意:所有其他降压转换器均通过另一个具有8ms 延迟的降压转换器的电源正常启用、因此它们可能在此延迟时具有一些隐藏的滤波、但 Buck2由 CTL1直接启用)

    此致、

    Ioan

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    尊敬的 Ioan:

    我看到您在不同的地方尝试了100nF 电容器、是否尝试用于 VSYS 的电容器非常靠近 PMIC SYS 引脚? 您能否用0.01uF 的电容代替它并尝试一下? 请记住、我们正在尝试对不耦合到 PMIC 输入的高频组件进行去耦。 我们不是要增加的电容值、而是吸收高频分量、并且必须非常靠近 PMIC SYS 引脚。 此外、我还不确定在 PMIC 输出端添加这些小电容器是否有好处、例如在 Vref、Vbias 或 FB 引脚等处添加这些小电容器。我们正尝试 PMIC 来防止该窄脉冲出现。

    Sathish