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器件型号:TPS3850 工具与软件:
嗨、团队:
我的客户希望为 WDO 实现锁存输出。
我在 e2e 线程下面发现了一个建议添加缓冲区的线程。
但这种方法建议为 CRST 使用150pF 至5nF 的电容器、但客户希望使用更长的复位时间。
是否存在任何问题、在锁存配置使用缓冲器的情况下将100nF 或 NC 用于 CRST?
此致、
Shota Mago
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我的客户希望为 WDO 实现锁存输出。
我在 e2e 线程下面发现了一个建议添加缓冲区的线程。
但这种方法建议为 CRST 使用150pF 至5nF 的电容器、但客户希望使用更长的复位时间。
是否存在任何问题、在锁存配置使用缓冲器的情况下将100nF 或 NC 用于 CRST?
此致、
Shota Mago