[参考译文] CSD13383F4：MOSFET 的低温运行

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1476450/csd13383f4-low-temperature-operation-of-mosfets

器件型号：CSD13383F4

工具与软件：

我正在设计设备、以测量低温下的超低直流电压(低至氦温度(4度 A))。

这一个或任何其他低 RDS MOSFET 是否能可靠运行？

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2381060 points

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您好、Ernest：

感谢您关注 TI FET。正如我之前的回应、TI FET 的最低温度额定值为-55°C。所有特性和鉴定测试都按照-55°C 进行。我们没有在低温温度下进行测试、因此没有数据。我不相信 TI 有在氦的温度下进行测试的能力。 FET 可能正常工作、但我们不知道。此外、我们还不确定这会如何影响可靠性。

再次感谢、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2381060 points

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谢谢 John、

没有人会给我一个明确的答案,所以我会使用一些 MOS 器件,并首先在氮气温度下测试它们 ,如果这是成功的下降到氦气温度,这都是非常经验的,但这是解决这个问题的唯一方法-我认为。

感谢您花时间讨论这一问题。

此致、

欧内斯特

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2381060 points

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尊敬的 Ernest：

是的、我希望我能提供更多的协助。 CSD13383F4似乎是不错的选择。它是具有可焊盘(LGA)的芯片级器件。没有引线框、塑料封装或引线键合。它本质上是一种具有可焊接焊盘的硅芯片。我将在下面提供一个链接、介绍此系列产品的 SMT 指南。为了获得最佳效果、请遵循数据表和应用手册中 TI 建议的 PCB 封装和丝印板开口。

https://www.ti.com/lit/pdf/slra003

谢谢！

John

电源管理（参考译文帖）

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