工具与软件:
我正在围绕 TPS22975设计一个具有1S1P (3.7V)输入的系统。
我的下游负载电容约为200uF、但这些电容分布在2个稳压器后面。
我担心的是、没有有关内部晶体管的 SOA 信息或有关最大上升时间(取决于负载电容)的信息、因为这些信息会影响开关器件上的应力。
我想将器件配置为10-90%~20ms 的上升时间、3.7V 输入 I 的上升时间约为16nF。
如何确定此上升时间持续时间内的应力是否可接受? 最大上升时间是如何确定的?
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工具与软件:
我正在围绕 TPS22975设计一个具有1S1P (3.7V)输入的系统。
我的下游负载电容约为200uF、但这些电容分布在2个稳压器后面。
我担心的是、没有有关内部晶体管的 SOA 信息或有关最大上升时间(取决于负载电容)的信息、因为这些信息会影响开关器件上的应力。
我想将器件配置为10-90%~20ms 的上升时间、3.7V 输入 I 的上升时间约为16nF。
如何确定此上升时间持续时间内的应力是否可接受? 最大上升时间是如何确定的?
Anatoly、您好!
感谢您在 E2E 上提出问题!
我们不提供负载开关的 SOA 信息、因为使用软启动功能可以实现受控的压摆率。 容性负载可能出现的最大问题是浪涌电流。 如果浪涌电流小于器件工作电流、器件将正常工作。
我看到您配置了20ms 的上升时间。 有什么原因吗? ~10ms 的上升时间、在考虑200uF COUT 的情况下、您可以获得2 μ A 74mA 浪涌电流。
CT 电容没有最大值。
谢谢
Amrit