工具与软件：
您好！
我假设 VDD = 46V、这为系统(负载)供电。 该负载尝试消耗的电流超过10A、我想限制电流。 为此、我想使用 TL494和 P 沟道 MOSFET。
我的计划是：TL494通过 PWM 控制 MOSFET。 当负载需要(例如14A)时、TL494减小了 PWM 宽度、使负载的最大值为10A、而无需中断电源。
这款 TL494适合我的案例吗？
此致、
您好、Hong：
为了通过 PWM 控制高侧 P 沟道 MOSFET CSD19538Q3A (用于电流调节)、我已将 MOSFET 驱动器 TPS2818DBVR 连接到 TL494的引脚 C2 (引脚11)、请参阅随附的原理图。 该驱动器级是否适合此电流限制？
此致、
您好！
当您使用 C2进行控制时、根据下面的数据表、C2是反相输出、因此当产生正占空比脉冲时、C2为低电平、Q2引脚1 =低电平、Q2引脚3 =高电平、Q2关断、但 Q2应导通、因此您的控制时序似乎需要调整。
请仔细观察、看看您是否同意。 如果您同意、则需要使用 TPS2816、18或 TPS2828。
您好、Hong：
当 TL494产生 PWM 并且存在正占空比时、这是否意味着在此期间、控制电流并连接到负载(Q3、P 沟道 MOSFET)的晶体管必须导通？
如果是：在我的电路中、当占空比为正时、C2为低电平。 U2 (TPS2818)的引脚4 (OUT)连接到 Q2 (N 沟道 MOSFET)的栅极、为高电平、因为 U2 (TPS2818)是反相栅极驱动器。 这将打开 Q2。 当 Q2导通时、Q3也导通。
这通常应该是正确的、或者我是否遗漏了一些内容？
感谢您的帮助、非常感谢您的支持。
