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[参考译文] UCC25800-Q1：软启动期间的最大电流

admin
Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC25800-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470124/ucc25800-q1-maximum-current-during-soft-start

器件型号：UCC25800-Q1
Thread 中讨论的其他器件：UCC25800、

工具与软件：

您好！

我将使用 UCC25800设计~2..3W 电源：VIN=24V 变压器匝数比1：1、Fsw 500kHz、倍压整流器。 我想知道允许多大的输出电容、以便 MOSFET 不会在软启动期间变得过热？ 是否足以保持低于最大 OCP2、即低于5A 峰值？ 我想 TSD 不够快、无法在软启动周期内做出反应？ 例如、根据仿真、输出电容为30uF 时、SS 期间的 SW 引脚电流如下所示：



BR、
Olli

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    我不希望任何偏置电源出现如此高的浪涌电流。 您的仿真结果似乎接近但仍小于 OCP2 (软启动期间为5A)。 将您的30μF  仿真结果与输出电容<< 30μF 的情况进行比较。 也许还应考虑 UCC25800-Q1的输入电源的软启动(dV/dt)。

    Steve

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    我同意具有如此高的浪涌并不是件好事、而具有更长的软启动时间会更好。 如果我降低电容、浪涌肯定会更小、但我可能需要相当大的电容值、因此问题是您是否有办法估算安全的电容值？ 我想 TI 应该在某种程度上了解 MOSFET 结到外壳的热阻？ 由于空间限制、在本例中无法对输入进行 dV/dt 限制。

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    内部 MOSFET 由 OCP 和 OTP 保护。 有了如此大的电容、您可以接近于 OCP2。 如果我们使用 OCP2=5A 作为限制、您可以在仿真中绘制输出电压图、测量 dVout/dt、然后计算 C=i*dt/dVout、由于您的变压器为1：1、因此输入电流大概等于输出电流。

    Steve

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    好的、有一点简单明了、对于我的初始问题、"它是否足以保持在最大 OCP2以下、即低于5A 峰值？" 答案是"是"？ 因此、即使 MOSFET 具有 高输出电容和接近5A 的浪涌电流、MOSFET 也会受到 OCP2和 TSD 的保护？  

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    是的、但应模拟我们讨论过的内容、然后在实验室的所有热/电气方面进行测试以确定。

    Steve

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    好的、非常感谢！

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    你好、Olli  

    您能否共享 UCC25800-Q1的未加密 SPICE 模型？

    谢谢。此致
    Unnimaya.V.

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    这是一个新主题-您可以发布到新主题吗？ 我将锁定该线程。