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尊敬的 Eric:
感谢您发送编修。
原理图和布局附加在末尾。
输入电压为24V、输出电压为3.3V、输出电流略高于200mA。
线圈的饱和电流为4A、RMS 电流为3.3A。
IC 似乎总是在 SW 和 GND 之间内部断开、从而在这两个引脚之间产生~5欧姆的电阻路径。 我的假设是、这意味着低侧 FET 损坏、5欧姆可能是由内部电流检测电阻/电路造成的?
我有两个假设:
任何提示都会非常感谢。
此致、
Daniel
布局:
3D:
GND 网在每层都以浅蓝色突出显示。
顶层:
顶部1 (内层):
底部1 (内层):
爬虫层:
Daniel、您好!
在某些情况下、我们使用了连接到3.3V 线路的编程器、该编程器也提供电压、因此当我们关闭主电源时、器件将反向提供电压(输出端为开路输入和3.3V 外部电压源)。 然而、当我使用测试装置特意设置这种条件时、IC 的耐受性非常强、使用这种方法我无法将其销毁。 [报价]我认为这可能是损坏问题的根本原因。 原理图和布局似乎正常。
请确保连接到3.3V 输出端的外部电源始终处于关闭状态、然后查看该中断问题是否再次发生。
此致、
Eric
尊敬的 Eric:
由于我希望确保通过编程器提供的外部电源导致了该问题、因此我进行了一些测试。 我使用了第二个实验室电源、3.3V 直接连接到输出端、并多次开关输入电源、对直流/直流转换器进行"折磨"。 但是,有了这个设置,我无法摧毁 IC ,所有突然它的行为强硬如地狱。
当然、使用连接到 PC 的编程器是不同的设置(由于接地方案未知、可能会引入额外的问题)、如果我能够强制发生此故障、我肯定会更担心。
无论如何、由于另一个电源强制输出电压而损坏器件是否会导致观察到的错误行为? 哪一个始终是:SW 引脚和 GND 之间的电阻路径为~5 Ω? 这似乎合理吗?
此致、
Daniel
P.S .:为了记录:你的答复的迅速和明显的努力,你正在投入,回答这个问题是非常感谢。
Eric、您好!
很遗憾、我无法告知器件损坏前的时间/最后一次操作。
现在我不能重复未知的破坏过程。
不管怎样、我想我们在这个问题上已经尽了最大的努力。 不连接外部电压源肯定有助于器件的承受能力。 并且不连接不同的接地端(实验室电源、编程器、USB、PC 等)也可能是一个好主意。
我会做更多的测试、但除非我获得新信息、否则我想我们现在可以做的事情不多。
此致、
Daniel
Daniel、您好!
不管怎样、我想我们在这个问题上已经走得尽可能远了。 不连接外部电压源肯定有助于器件的承受能力。 并且不连接不同的接地(实验室电源、编程器、USB、PC 等)也可能是一个好主意。[/引述]是的、如果问题无法重现、则我们可以执行"什么操作不会断开 FETS "。
如果这些操作有助于保护 FET 免受损坏、那么 也可以将其视为解决方案。
此致、
Eric