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[参考译文] TPS61178:负载断开 FET。

Guru**** 2387830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1474646/tps61178-load-disconnect-fet

器件型号:TPS61178

工具与软件:

设计参数:Vin=10-16V、Vout=19V、Iout max =1、6A。

第一个问题:TSHORT 参数是否在某处指定? 它仅在 DS 的第9.2.4.4.3节中提及、并声明它为30us。 该值是否正确?

Webench 选择了 一种野兽 Si7135DP。 问题是空间在我的设计是有限的,它的包是相对较大的,如果上面的公式是正确的,"它是过度杀死"是一个低估。

使用我的设计的参数使 Qshort = 19 * 20 * 30e-6/2 = 5、7mJ、这相当于30us 下的190W (平均值)。

查看 Si7111的 SOA 图(封装占用面积~1/4)、20A 介于1ms 和100us 脉冲的限值之间、100us 脉冲的电流~400W @ 20V、而对于30us 则更大、因此如果我的基本原理正确、则可以在我的设计中使用该器件、并假设为30us (我猜是典型值)。

我的另一个问题是:

2) 2)此 TSHORT 参数的最小值和最大值是多少?

3) 3)以上理由是否正确? 我缺少什么吗?

4) 4)该器件是否可以使用?

5) 5)如果不是、是否有人建议使用小尺寸的合适器件?

提前感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    感谢您联系我们。

    对于您的问题:

    1. 30us 是一个估算值、包括电流上升和关断延迟。

    通常、该时间将短于30us。

    2.Tshort 与短路情况有关。

    当器件在长导线短路时、电流可能以慢速压摆率上升时、时间会更长。

    如前所述、我们有一个粗略测试、估计它最大30us

    3.我认为你的理由是正确的,  Si7135DP 对于这种情况来说太大, Si7111是可以的。

    4.该部件是可以接受的,在我们的 EVM 中,也使用3*3 MOS。

    5.没有其他建议。

    此致、

    Fergus