工具与软件:
设计参数:Vin=10-16V、Vout=19V、Iout max =1、6A。
第一个问题:TSHORT 参数是否在某处指定? 它仅在 DS 的第9.2.4.4.3节中提及、并声明它为30us。 该值是否正确?
Webench 选择了 一种野兽 Si7135DP。 问题是空间在我的设计是有限的,它的包是相对较大的,如果上面的公式是正确的,"它是过度杀死"是一个低估。
使用我的设计的参数使 Qshort = 19 * 20 * 30e-6/2 = 5、7mJ、这相当于30us 下的190W (平均值)。
查看 Si7111的 SOA 图(封装占用面积~1/4)、20A 介于1ms 和100us 脉冲的限值之间、100us 脉冲的电流~400W @ 20V、而对于30us 则更大、因此如果我的基本原理正确、则可以在我的设计中使用该器件、并假设为30us (我猜是典型值)。
我的另一个问题是:
2) 2)此 TSHORT 参数的最小值和最大值是多少?
3) 3)以上理由是否正确? 我缺少什么吗?
4) 4)该器件是否可以使用?
5) 5)如果不是、是否有人建议使用小尺寸的合适器件?
提前感谢。