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[参考译文] UCC21738-Q1:一般问题

Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21738-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1473932/ucc21738-q1-general-question

器件型号:UCC21738-Q1

工具与软件:

尊敬的专家:

您是否可以建议 UCC21738-Q1的消隐时间? 我们不知道如何设置合适的消隐时间。

我们想知道下图所示的 MOSFET 的 Rds_on 是多少。 如果 MOSFET 被外部电路损坏、客户需要确认 RDS_ON。  

BR、

Ryker

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ryker:

    让我尽快回到您的消隐电容器问题。  

    FET 的 RDS 表示如下规格:

    在1V 时为40mA、因此电阻为25 Ω。

    谢谢

    SASI

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ryker:

    请参阅以下应用手册-其中讨论了不同的保护方法、第5节讨论了 DESAT 电路设计注意事项。

    为 IGBT 和 SiC 电源模块选择适当的保护方法

    谢谢

    SASI