工具与软件：
我希望你做得好。
我使用 UCC5390S 设计了一个 FET 驱动电路、但我目前遇到严重的 FET 振铃、正在寻找解决方案。
提前感谢您的支持。
此致、
您好、Tae、
高侧 FET 振铃是高侧寄生漏极电感、相电容和高侧 FET 跨导的组合。 您可以通过使用较低的驱动强度或添加栅极电阻来减慢高侧 FET 的导通速度、但这是一种能效很高的方法。
在我的设计中、我能够在电源轨上使用电解电容器、这些电容器能够提供足够的串联电阻以将 LC 振荡电路抑制在谐振以下。
一种更昂贵但更常见的解决方案是使用跨导较低的 SiC FET。 这些器件在导通时通过其饱和区域(Vds 上升时间)时的正常硅 FET 具有1/10的 GM。 您还可以使用现有硅 FET 的更便宜、更高的 Rdson 版本。 基本上、您要尝试避免的是在高侧打开时生成寄生 Colpitts 振荡器：
Colpitts 振荡器：
此外、如果您有 BJT 图腾柱输出缓冲器、则无需如此出色的栅极驱动器(17A)。 您可以使用 UCC5310 (2A)、由于输出级经过缓冲、内部输出级并不重要。 如果您放弃 BJT 图腾柱、则应使用 UCC5350或 UCC5390。 也可使用 UCC5310；这相当于使用更高的外部栅极电阻和更强的栅极驱动器。
您是否具有开关节点的任何波形？ 我可以帮助您根据振荡频率设计阻尼电路。 我必须知道 FET 器件型号。
下面比较了与具有5欧姆栅极电阻的 SiC FET (STW78N65M5)的相同电路中的导通谐振与具有5欧姆栅极电阻的 SiC FET (C3M0015065D)和 UCC5350：
硅 FET：
碳化硅 FET：
此致、
Sean
感谢您的答复。
下面的波形显示了 FET 栅源(G-S)信号(C3)。
我目前使用的是 SiC FET、特别是 IMZA65R015M2H (Infineon) .
此外、如果我从原理图中移除推挽电路、则可以使用 UCC5350M 但呢？
非常感谢您对此提供建议。
此致、
