[参考译文] TPS55288：100W、Vout=20V、Iout=5A 时的 VIN 限制

尊敬的 Mulin：  

感谢您的快速响应以及您对原理图和设计审查的提议。  

如果您可以、我想在这里继续交谈、在原理图构建过程中询问与 TPS55288相关的问题。 由于我是第一次查看 TPS55288文档、我们引发了一些问题或备注。    

1. "12V 是 EVM 板的建议工作范围、并非必须。 您可以在 Vin<12V 的情况下操作 EVM 板。 请注意、 典型的平均电感器电流限制为16A。 因此、凭借100W 输出、可支持输出的最小输入电压为100/0.95/16=6.57V。  
   
   
   1. 为了避免混淆、Vin=6.57V 是+25°C 的典型最小值。 对于整个 Tj 工作温度范围-40°C~+150°C、在沃斯情况下为14A、因此100/0.95/14 = 7.52V、对吗？  
   2. 在整个温度范围内、连接在 ILIM (引脚17)上的外部电阻器或 IC 本身具有更高电流容差的根本原因是什么？
   3. 如果涉及 IC 本身、那么使用比20k 1% 100ppm/°C 更合适的 Rsens 电阻器是没有意义的、对吗？
      
      
2. "还应考虑热性能。 您可能需要降低开关频率以获得更好的热性能。"
   
   
   1. 是否有可能了解是否仅在+25°C 处使用评估板或参考设计进行了热测试？
   2.  您能否弄清、在 文档测试报告中采用了热像图(图2-3和图2-4)时应用了哪些工作条件(Vin、Vout、Iout、Tamb) ？  
      
      
      
   3.  您还能否指出、哪个电路板用于效率与输出电流测量(数据表中的图6-10)？  
      根据该 图、效率@ 20V_OUT、12V_VIN、25°C 的最后一点是6A、对吧？  
      
       
      
      
   4. 这里的主要问题是、TPS55288是适合此应用的选择、还是我们应该去其他地方、在这里所有四个 MOSFET 都在外部添加。  
      
      
3. 对我个人而言、看到二进制格式时带有寄存器说明末尾的"h"通知有点容易令人困惑。
   例如：  
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= 11100100h]
   最好具有以下两种器件：   
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= E4h]  
   或者
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= 11100100b]  
   
4. 所示。 IOUT_LIMIT 寄存器字段说明看起来仅支持少数电流限制目标。  
   我希望使用此格式进行说明：  
   

   设置 ISP 引脚和 ISN 之间的电流限制目标电压 引脚(步长为0.5mV) 0000000b = Visp-VISN = 0 (mV) 0000001b = Visp-VISN = 0.5 (mV) 0000010b = Visp-VISN = 1 (mV) 0000011b = Visp-VISN = 1.5 (mV) 0000100b = Visp-VISN = 2.0 (mV) …μ A。 1100100b = Visp-VISN = 50.0 (mV)(默认值) …μ A。 1111111b = Visp-VISN = 63.5 (mV)

   
   
   

5. 有什么特殊原因吗？为什么参考设计和评估板在某些位置使用102k 而不是100k？
   例如： 原理图—PMP40801 R11。   

我能给您传达一下我们的设计目标要求吗？   

BR
Josko

尊敬的 Josko：

我同意、我们首先讨论的是 TPS55288是否适合您的设计。 您能否帮助提供以下信息：

1.什么是应用程序?

您的设计中的最低输入电压是多少？

您的设计中的电路板尺寸是多少？ 铜厚度是多少？

您的设计中的温升要求是什么？ 最高环境温度是多少？

如果不能公开讨论,您可以向我发送友谊请求。

关于您的问题：

yu bin1 说：

为了避免混淆、Vin=6.57V 是+25°C 的典型最小值。 对于整个 Tj 工作温度范围-40°C~+150°C、在沃斯情况下为14A、因此100/0.95/14 = 7.52V、对吗？  [报价]

有。

[报价 userid="60235" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472299/tps55288-vin-limitation-at-100w-vout-20v-iout-5a/5652954 #5652954"]

• 在整个温度范围内、连接在 ILIM (引脚17)上的外部电阻器或 IC 本身具有更高电流容差的根本原因是什么？
• 如果涉及 IC 本身、那么使用比20k 1% 100ppm/°C 更合适的 Rsens 电阻器是没有意义的、对吗？

[报价]

主要根本原因是 IC 本身。 RLIM 电阻器也很重要。 1%的精度就足够好了。

[报价 userid="60235" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472299/tps55288-vin-limitation-at-100w-vout-20v-iout-5a/5652954 #5652954"]

• 是否有可能了解是否仅在+25°C 处使用评估板或参考设计进行了热测试？
•  您能否弄清、在 文档测试报告中采用了热像图(图2-3和图2-4)时应用了哪些工作条件(Vin、Vout、Iout、Tamb) ？  

[报价]

我不具备这些信息。 我可以提供 EVM 的热性能。 您是否与 TI 签订了 NDA？

yu bin1 说：

 您还可以看看、使用哪一块电路板测量了效率与输出电流(数据表中的图6-10)？  
根据该 图、效率@ 20V_OUT、12V_VIN、25°C 的最后一点是6A、对吧？  [报价]

效率在 EVM 板中进行测试。

6A 曲线为9V Vin。 对于12V Vin、最大输出电流为8A。

yu bin1 说：

这里的主要问题在于、TPS55288是此应用的正确选择、还是我们应该改用其他方法、在这种方法中外部添加了全部四个 MOSFET。  [报价]

好的、下面我们来讨论上述工作规范。

关于第3点和第4点、感谢您的建议、我们将在下一个版本中考虑

yu bin1 说：

是否有任何特殊原因、为什么参考设计和评估板在某些位置使用102k 而不是100k？

[/quote]

[/quote][/quote]

使用11.3k 电阻器的102k 获取12V 输出。 对该值没有特殊要求。 100k 也可以。

此致、

Mulin

[/quote][/quote][/quote]

尊敬的 Mulin：  

我刚刚发送了您的 友谊请求。  

Unknown 说：

我没有此信息。 我可以提供 EVM 的热性能。 您是否与 TI 签订了 NDA？

是的、我们签署了 NDA。 我给负责我们的 TI FAE 写信、与您联系、确认该信息或将 NDA 转发给您。  



BR

Josko