[参考译文] TPS55288：100W、Vout=20V、Iout=5A 时的 VIN 限制

尊敬的 Mulin：  

感谢您的快速响应以及您对原理图和设计审查的提议。  

如果您可以、我想在这里继续交谈、在原理图构建过程中询问与 TPS55288相关的问题。 由于我是第一次查看 TPS55288文档、我们引发了一些问题或备注。    

1. "12V 是 EVM 板的建议工作范围、并非必须。 您可以在 Vin<12V 的情况下操作 EVM 板。 请注意、 典型的平均电感器电流限制为16A。 因此、凭借100W 输出、可支持输出的最小输入电压为100/0.95/16=6.57V。  
   
   
   1. 为了避免混淆、Vin=6.57V 是+25°C 的典型最小值。 对于整个 Tj 工作温度范围-40°C~+150°C、在沃斯情况下为14A、因此100/0.95/14 = 7.52V、对吗？  
   2. 在整个温度范围内、连接在 ILIM (引脚17)上的外部电阻器或 IC 本身具有更高电流容差的根本原因是什么？
   3. 如果涉及 IC 本身、那么使用比20k 1% 100ppm/°C 更合适的 Rsens 电阻器是没有意义的、对吗？
      
      
2. "还应考虑热性能。 您可能需要降低开关频率以获得更好的热性能。"
   
   
   1. 是否有可能了解是否仅在+25°C 处使用评估板或参考设计进行了热测试？
   2.  您能否弄清、在 文档测试报告中采用了热像图(图2-3和图2-4)时应用了哪些工作条件(Vin、Vout、Iout、Tamb) ？  
      
      
      
   3.  您还能否指出、哪个电路板用于效率与输出电流测量(数据表中的图6-10)？  
      根据该 图、效率@ 20V_OUT、12V_VIN、25°C 的最后一点是6A、对吧？  
      
       
      
      
   4. 这里的主要问题是、TPS55288是适合此应用的选择、还是我们应该去其他地方、在这里所有四个 MOSFET 都在外部添加。  
      
      
3. 对我个人而言、看到二进制格式时带有寄存器说明末尾的"h"通知有点容易令人困惑。
   例如：  
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= 11100100h]
   最好具有以下两种器件：   
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= E4h]  
   或者
   IOUT_LIMIT 寄存器(地址= 2h)[复位= 11100100b]  
   
4. 所示。 IOUT_LIMIT 寄存器字段说明看起来仅支持少数电流限制目标。  
   我希望使用此格式进行说明：  
   

   设置 ISP 引脚和 ISN 之间的电流限制目标电压 引脚(步长为0.5mV) 0000000b = Visp-VISN = 0 (mV) 0000001b = Visp-VISN = 0.5 (mV) 0000010b = Visp-VISN = 1 (mV) 0000011b = Visp-VISN = 1.5 (mV) 0000100b = Visp-VISN = 2.0 (mV) …μ A。 1100100b = Visp-VISN = 50.0 (mV)(默认值) …μ A。 1111111b = Visp-VISN = 63.5 (mV)

   
   
   

5. 有什么特殊原因吗？为什么参考设计和评估板在某些位置使用102k 而不是100k？
   例如： 原理图—PMP40801 R11。   

我能给您传达一下我们的设计目标要求吗？   

BR
Josko

尊敬的 Josko：

我同意、我们首先讨论的是 TPS55288是否适合您的设计。 您能否帮助提供以下信息：

1.什么是应用程序?

您的设计中的最低输入电压是多少？

您的设计中的电路板尺寸是多少？ 铜厚度是多少？

您的设计中的温升要求是什么？ 最高环境温度是多少？

如果不能公开讨论,您可以向我发送友谊请求。

关于您的问题：

yu bin1 说：

为了避免混淆、Vin=6.57V 是+25°C 的典型最小值。 对于整个 Tj 工作温度范围-40°C~+150°C、在沃斯情况下为14A、因此100/0.95/14 = 7.52V、对吗？  [报价]

有。

[报价 userid="60235" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472299/tps55288-vin-limitation-at-100w-vout-20v-iout-5a/5652954 #5652954"]

• 在整个温度范围内、连接在 ILIM (引脚17)上的外部电阻器或 IC 本身具有更高电流容差的根本原因是什么？
• 如果涉及 IC 本身、那么使用比20k 1% 100ppm/°C 更合适的 Rsens 电阻器是没有意义的、对吗？

[报价]

主要根本原因是 IC 本身。 RLIM 电阻器也很重要。 1%的精度就足够好了。

[报价 userid="60235" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472299/tps55288-vin-limitation-at-100w-vout-20v-iout-5a/5652954 #5652954"]

• 是否有可能了解是否仅在+25°C 处使用评估板或参考设计进行了热测试？
•  您能否弄清、在 文档测试报告中采用了热像图(图2-3和图2-4)时应用了哪些工作条件(Vin、Vout、Iout、Tamb) ？  

[报价]

我不具备这些信息。 我可以提供 EVM 的热性能。 您是否与 TI 签订了 NDA？

yu bin1 说：

 您还可以看看、使用哪一块电路板测量了效率与输出电流(数据表中的图6-10)？  
根据该 图、效率@ 20V_OUT、12V_VIN、25°C 的最后一点是6A、对吧？  [报价]

效率在 EVM 板中进行测试。

6A 曲线为9V Vin。 对于12V Vin、最大输出电流为8A。

yu bin1 说：

这里的主要问题在于、TPS55288是此应用的正确选择、还是我们应该改用其他方法、在这种方法中外部添加了全部四个 MOSFET。  [报价]

好的、下面我们来讨论上述工作规范。

关于第3点和第4点、感谢您的建议、我们将在下一个版本中考虑

yu bin1 说：

是否有任何特殊原因、为什么参考设计和评估板在某些位置使用102k 而不是100k？

[/quote]

[/quote][/quote]

使用11.3k 电阻器的102k 获取12V 输出。 对该值没有特殊要求。 100k 也可以。

此致、

Mulin

[/quote][/quote][/quote]

尊敬的 Mulin：  

我刚刚发送了您的 友谊请求。  

Unknown 说：

我没有此信息。 我可以提供 EVM 的热性能。 您是否与 TI 签订了 NDA？

是的、我们签署了 NDA。 我给负责我们的 TI FAE 写信、与您联系、确认该信息或将 NDA 转发给您。  



BR

Josko

尊敬的 Josko：

我已收到 NDA 确认。 我向您发送了 EVM 的热性能。 请向我发送我上面所说的工作条件。

此致、

Mulin