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[参考译文] UCC21750QDWEVM-054:UCC21750QDWEVM-054

Guru**** 2496645 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750QDWEVM-054

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472187/ucc21750qdwevm-054-ucc21750qdwevm-054

器件型号:UCC21750QDWEVM-054

工具与软件:

您好!

我使用的是 UCC21750QDWEVM-054。 看起来、峰值输出电流取决于负载电容器、它将通过增大输出电容来增大电流。 例如、当 Cload = 9nF 时、输出电流约为3A、当 Cload = 100nF 时、输出电流约为10A。 我已经通过添加 BJT 或 MOSFET 添加了缓冲级、即使对于更高的电容、它也没有改变输出电流、并且被限制为10A (缓冲级应高达30A)。 我还希望使用低负载电容器实现峰值输出电流、如果您告诉我在本例中如何配置栅极驱动器、并最终使用 低输出电容器的缓冲级达到30A、我将不胜感激(例如10nF)。

谢谢!

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    尊敬的 Rahman:  

    对于缓冲级、您要使用哪些栅极电阻? 使用缓冲级时的峰值电流将受到 EVM 上的外部栅极电阻以及所驱动的电源开关的内部栅极电阻的影响、尽管看起来好像只是在驱动一个负载电容器。 还要记住、Cload 上的电压也会影响峰值电流;由于栅极电阻和内部 FET 上拉电阻的影响、随着 Cload 的增加、电流将会降低。 在 Cload = 9nF 的情况下、峰值电流在开始衰减之前尚未达到10A、而在 Cload = 100nF 的情况下、峰值电流在衰减之前能够达到10A。  

    使用缓冲级(如 R79和 R86)时、建议首先移除栅极环路中的任何外部栅极电阻器。 然后、尝试增大 Cload、查看是否可能达到30A。 您还可以使用缓冲级增加 VDD 以获得可能更高的峰值电流。  

    谢谢!  

    Vivian

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    尊敬的 Vivian:

    感谢您的答复。 我移除了 R81和 R85、并将它们安装在 R79和 R86上以用于缓冲级。 抱歉、我无法通过移除 R79和 R86来理解缓冲级的工作原理。 在这种情况下、BJT 发射极与被测器件的栅极无连接。 BRW、我需要为任何输出电容器提供高电流输出。  

    谢谢!

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    尊敬的 Rahman:  

    我打算将 R79和 R86更改为0欧姆-无栅极电阻。 抱歉、如果不清楚。  

    Vivian

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    尊敬的 Vivian:

    我将电阻器更改为0欧姆并增大了 Vdd。 当 Cload = 45nF 时可以达到17.5A、这对于我的应用来说非常合适。 我现在只关心一个问题、这是开关频率。 开关频率应至少为50kHz、但输出栅极脉冲将产生噪声、如果我进一步增加 Fs、LED (RDY)将开启、输出栅极脉冲将关闭。 您有什么解决该问题的建议吗? 您是否认为是由于栅极驱动器中的热问题?

    谢谢!

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    尊敬的 Rahman:  

    设置好缓冲级后、栅极驱动器不会出现热问题。 我认为限制来自板载偏置电源。 驱动具有高峰值电流和高开关频率的大负载时、板上的隔离式辅助电源会消耗大量功率、这会使 VDD 不稳定。 当 VDD 降至 UVLO 以下时、RDY 将被拉低、输出将被关闭。  

    您可以尝试使用台式电源而不是板载偏置电源为次级侧供电。 我建议不要组装 LLC 转换器元件、以防止任何损坏。  

    谢谢!  

    Vivian