This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27624-Q1:IGBT 的负电压关断

Guru**** 2378680 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27624-Q1, UCC57108-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472724/ucc27624-q1-negative-voltage-shutdown-of-igbt

器件型号:UCC27624-Q1
主题中讨论的其他器件: UCC57108-Q1

工具与软件:

嗨、团队:

我的客户想知道 UCC27624-Q1是否可以支持 IGBT 的负电压关断。 如果不能、是否有任何推荐的 TI 器件? BTW、一旦输入被下拉、低侧 IGBT 就需要在3us 内关断。

此致

灰色

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿、灰色、

    感谢您向我们的客户提出有关 UCC27624-Q1的问题。

    对于>200ns 的情况、OUTA/OUTB 引脚的负电压额定值为-0.3V。 但是、有一种方法可以实现负偏置、即通过使用电平转换电路来偏移驱动器的偏置来关断 IGBT。 以下常见问题解答详细介绍了在使用 UCC27624-Q1时的情况。

    [常见问题解答]如何使用低侧栅极驱动器(双极驱动)通过负偏置来驱动 SiC FET 或 IGBT?

    对于3us 关断时间要求、 UCC27624-Q1的典型下降时间为10ns。 该时间还包括从输入下降到输出下降的传播延迟、通常为17ns。 IGBT 将在3us 内充分关断。 栅极电阻器选择和 IGBT 特性也是决定其关断速度的一个因素。

    如果还有其他问题、请告诉我。

    谢谢!

    William Moore

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿、灰色、

    我还想告知您 UCC57108-Q1。 它是一种单通道栅极驱动器、具有负电压处理下拉功能、VEE 上能够提供-15V 电压。 这允许栅源电压在 SiC 和 IGBT 应用中变为负值。

    如果您还有其他问题、请告诉我。

    谢谢!

    William Moore