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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472219/csd18540q5b-thermal-resistance
工具与软件：
CSD18540Q5B 的数据表列出了 R_JC 的0.8 C/W。 这是结至外壳顶部、底部还是两者？
Daniel、您好！
感谢您关注 TI FET。 数据表中的 RθJC 规格是封装底部的散热(漏极)垫。 有关 TI 如何在 MOSFET 数据表中测试和规格热阻的更多信息、请参阅下面链接中的技术文章。 尽管 TI 未在数据表中对其进行规格说明、但 RθJC (顶部) 8°C/W 基于之前的仿真和经验数据。 如果您有任何问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTB80
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
