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[参考译文] BQ77915:FET 并联

Guru**** 2386280 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1471542/bq77915-fets-in-parallel

器件型号:BQ77915

工具与软件:

你好

 我想将以下 N 沟道 MOSFET 用于 CHG FET 和 DSG FET:  

-产品编号: BSC070N10LS5ATMA1.

-(Qg)(最大值) = 20nC @ 4.5V

- 7m Ω、40A、10V

我的问题是、 在不从芯片的 CHG 和 DSG 驱动器拉取大量能量的情况下、我可以并联多少个这样的 FET (用于散热等)?  

我可以并联其中4个吗? (对于 CHG 驱动器、4个并联、对于 DSG 驱动器、4个并联)

谢谢

Silvan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Silvan、

    是的、将4并行放置应该没有问题。 FET 的数量在理论上没有限制、通常导通/关断速度会受到影响。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon