[参考译文] LM3409HV：栅极驱动器功能–它是否能够驱动2个或3个并联的 MOSFET？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1469913/lm3409hv-gate-driver-capability-can-it-drive-2-or-3-mosfets-in-parallel

器件型号：LM3409HV

工具与软件：

尊敬的 TI 专家：

我使用 LM3409HV 来设计6A LED 驱动器。由于散热问题、我正在考虑并联使用2个或3个 MOSFET。

我的主要问题是：LM3409HV 可以驱动多少个并联的 MOSFET？简而言之、LM3409HV 是否能够并联驱动2个或3个 MOSFET？

以 P 沟道 MOSFET BUK6D120-60P 为例、其规格如下：

VGS、th =-2.5V
Qg = 18nC
Qgs. = Qgd = 2.6nC
Ciss = 724pF

感谢您的见解。

谢谢！

8 个月前

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2387060 points

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你好 Sean、

使用多个 MOSFET 的主要问题是确保电流共享。您提议使用的 FET 外形尺寸非常小且 RDS_ON 相当高。我认为您应该采用更大的封装、而不是并联多个 FET。

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2387060 points

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大家好、

感谢您的答复。我考虑使用多个 P 沟道 MOSFET (BUK6D120-60P)的几个原因：

1) 1)我们仍有大量的此部件库存。

2) 2) PCB 布局空间非常有限、因此我们倾向于使用小型封装组件。

3) 3)根据我的计算、单个 MOSFET 上的功率损耗太高。为了降低功率损耗并更有效地散热、我考虑并联使用两三个 MOSFET。

因此、我想知道使用 LM3409HV 能否驱动两个 MOSFET。

但是、我知道散热是最关键的因素。如果并联使用多个 MOSFET 不合适、我愿意在更大的封装中使用性能更高的 MOSFET。

此致、

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2387060 points

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您应该能够驱动它们、但由于该驱动器具有超低的输出阻抗、您可能具有稍高的开关损耗。通过降低开关频率、可以减轻一些效率损失。数据。

-fhoude.

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2387060 points

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大家好、

我找到了一个 P 沟道 MOSFET DMP6018LPSQ-13。

下面列出了详细参数：
1) Vds =-60V、

2) 2) IDS=-48A、

3) 3) Vgs (th)、max =-2.5V

4) 4) RDS、on、max= 18mR

5) 5) Ciss = 3505pF

6) 6) Qg = 13.7nC

7) 7) tr = 6.7ns

8) 8) tf = 7.2ns

9) RJC=1.1 C/W

您能否看一下是否可以使用这种 P-MOSFET 单通道或将其 x2并联使用？

谢谢你。

Sean

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