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[参考译文] LM3409HV:栅极驱动器功能–它是否能够驱动2个或3个并联的 MOSFET?

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3409HV
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1469913/lm3409hv-gate-driver-capability-can-it-drive-2-or-3-mosfets-in-parallel

器件型号:LM3409HV

工具与软件:

尊敬的 TI 专家:

我使用 LM3409HV 来设计6A LED 驱动器。 由于散热问题、我正在考虑并联使用2个或3个 MOSFET。

我的主要问题是:LM3409HV 可以驱动多少个并联的 MOSFET? 简而言之、LM3409HV 是否能够并联驱动2个或3个 MOSFET?

以 P 沟道 MOSFET BUK6D120-60P 为例、其规格如下:

  • VGS、th =-2.5V
  • Qg = 18nC
  • Qgs. = Qgd = 2.6nC
  • Ciss = 724pF

感谢您的见解。

谢谢!

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    你好 Sean、

    使用多个 MOSFET 的主要问题是确保电流共享。  您提议使用的 FET 外形尺寸非常小且 RDS_ON 相当高。  我认为您应该采用更大的封装、而不是并联多个 FET。   

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    大家好、

    感谢您的答复。 我考虑使用多个 P 沟道 MOSFET (BUK6D120-60P)的几个原因:

    1) 1)我们仍有大量的此部件库存。

    2) 2) PCB 布局空间非常有限、因此我们倾向于使用小型封装组件。

    3) 3)根据我的计算、单个 MOSFET 上的功率损耗太高。 为了降低功率损耗并更有效地散热、我考虑并联使用两三个 MOSFET。

    因此、我想知道使用 LM3409HV 能否驱动两个 MOSFET。

    但是、我知道散热是最关键的因素。 如果并联使用多个 MOSFET 不合适、我愿意在更大的封装中使用性能更高的 MOSFET。


    此致、

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    您应该能够驱动它们、但由于该驱动器具有超低的输出阻抗、您可能具有稍高的开关损耗。  通过降低开关频率、可以减轻一些效率损失。  数据。

    -fhoude.

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    大家好、

    我找到了一个 P 沟道 MOSFET DMP6018LPSQ-13。

    下面列出了详细参数:
    1) Vds =-60V、

    2) 2) IDS=-48A、

    3) 3) Vgs (th)、max =-2.5V

    4) 4) RDS、on、max= 18mR

    5) 5) Ciss = 3505pF

    6) 6) Qg = 13.7nC

    7) 7) tr = 6.7ns

    8) 8) tf = 7.2ns

    9) RJC=1.1 C/W

    您能否看一下是否可以使用这种 P-MOSFET 单通道或将其 x2并联使用?

    谢谢你。

    Sean