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[参考译文] LMG3100R017:LMG3100R017参考设计

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017, PMP23421, LMG3100EVM-089
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1471045/lmg3100r017-lmg3100r017-reference-design

器件型号:LMG3100R017
Thread 中讨论的其他器件: PMP23421LMG3100EVM-089

工具与软件:

尊敬的 TI 工程师:

我在执行 LMG3100R017参考设计时遇到一些问题

LMG3100EVM-089设计

它直接使用低侧自举电源作为上面一个的电源来驱动上部 GaN

上部芯片 HB HS HO 悬空

原理图—PMP23421设计  

对这两种设计、我有以下问题进行了比较:

1、我注意到在此设计中使用了数字隔离式电源、我想知道为什么设计不这样  LMG3100EVM-089设计  并添加一个额外的数字隔离器  

2、添加了上部芯片1引导加载器、我还想知道为什么?

3 μ s、我想使用串联 电容降压转换器、 您能否为 该拓扑提供最佳的驱动器参考设计? 优先选择较小的尺寸。

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    以及如何设计超侧 HI 引脚1连接至 SW 1是悬空的

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    您好!

    以下是对您的问题的回答:
    1. LMG3100可配置为通过低侧器件输入 LI/HI 信号。 低侧器件将在内部对 HI 信号进行电平转换并将其输出给高侧器件。 图:

    这种配置会导致 HI 信号传播延迟较大、这给高频设计带来了麻烦。 您共享的参考设计对高侧输入信号使用数字隔离器、以避免此传播延迟。

    2.高侧 FET 上的电容并非必需、也不需要包含在该原理图中。 这是一个错误。 并不会出现任何问题、但这是不必要的、如数据表中所示

    3.请允许我在下周早些时候跟进这一点

    4.您询问"以及如何设计高端 HI 引脚 One 连接到 SW One 是浮动的"。 能否详细说明一下这个问题?

    谢谢!
    Zach S