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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470823/lm25148-the-ability-to-drive-2-mosfets-on-h-and-l-gate
工具与软件：
大家好、团队成员：
我正在构建一个输出高达12A @ 5V/6.3V/7.6V 的降压电路、用于伺服电源。
我想知道 LM25148的 H 和 L 门是否可以驱动多个 MOSFET？ 我正在考虑为 H 栅极和 L 栅极使用2个 FET、以实现更好的散热、因为铜面积和气流有限。
您好！
此器件旨在驱动单个高侧和低侧 FET。
我们建议查看数据表的第11.1.4节以帮助进行热设计和布局。
此致、
Rahil
在介绍自适应死区时间方法的第8.3.14节中、它指出"此技术可确保任何尺寸的 N 沟道功率 MOSFET 实现(包括并行 MOSFET 配置)具有足够的死区时间"、您是否意味着"并联"部分是错的？
我进一步研究了这种情况、看起来您可以实现并联连接。 并联的 FET 将共享电流、因此两个 FET 的 Rdson 必须相同。
