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[参考译文] BQ25751:BQ25751和4 MOSFET 在升压充电模式下易于损坏

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25751
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470643/bq25751-bq25751-and-4-mosfet-were-easily-damaged-under-boost-charging-mode

器件型号:BQ25751

工具与软件:

您好!

我使用 BQ25751为铅酸电池充电/电源路径管理原型板、标称输入电压为48VDC、充电电压设为56VDC、在测试和调试过程中、我发现 BQ25751和 MOSFET 很容易因500mA 等充电电流负载非常小而损坏。

1、外部电源和铅酸电池都可以单独给系统供电,但如果我开始通过开启"充电"的方式给电池充电,比如插上温度传感器,把充电电流设置为500mA , IC 就会损坏。

2、我更改了电阻以确保它可以在输入电压范围(12V-50V)内工作、还更改了 FB 电阻使其可以用作降压电池充电器、我将外部电源设置为36V、将充电电压设置为30V、我们发现 BQ25751可以使用不同的充电电流为电池充电(同时减少电池数量)。

3、我将外部直流电源设置为18V 并更改了 FB 电阻器、使其可用作升压电池充电器、将充电电压设置为27V、BQ25751可以使用不同的充电电流为电池充电。

但如果将充电电压设置为56V (并将外部电源设置为48V)、BQ25751和 MOSFET 就很容易损坏。

我附上了在损坏的电路板上捕获的原理图和数据日志、供您参考。

谢谢

开尔文

电池寄存器地址0寄存器  值:0x10  
 电池寄存器地址0x1寄存器  值:0  
 电池寄存器地址0x2寄存器  值:0x40  
 电池寄存器地址0x3寄存器  值:0x6  
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 电池寄存器地址0x13寄存器  值:0  
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 电池寄存器地址0x15寄存器  值:0x30  
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 电池寄存器地址0x18寄存器  值:0xc0  
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 电池寄存器地址0x62寄存  器值:0x2  
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    我们使用的 MOSFET 是  BSC340N08NS3-G、Vds 为80V、它与 TI 演示板上使用的 MOSFET 不同、在 TI 演示板上、MOSFET 的 Vds 为100V

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    您好、Lesheng:

    您是否尝试过在 EVM 上测试过它?

    您是否尝试过使用 EVM 上的 FET?

    此致、

    Christian

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    您好、Christian:

    我们使用的 MOSFET 与 EVM 板不同、我们使用的是  Infinion 的 BSC340N08NS3-G、VDS 为80V、但 EVM 上使用的 MOSFET 的 VDS 为100V。

    该 EVM 的设计不支持与56V 电池充电器一起使用、我必须手动进行一些修改。

    谢谢

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    您好、Christian:

    我们使用的 MOSFET 与 EVM 板不同、我们使用的是  Infinion 的 BSC340N08NS3-G、VDS 为80V、但 EVM 上使用的 MOSFET 的 VDS 为100V。

    该 EVM 的设计不支持与56V 电池充电器一起使用、我必须手动进行一些修改。

    谢谢

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    我将电子负载设置为 CC 模式并连接到电路板、使用外部直流电源48V 为电路板加电后、开始时可以看到充电电压为56V、但几秒钟后充电电压消失(实际上此时我仍然没有打开电子负载、电子负载开/关的键关闭、电流为0)、 BQ25751已损坏。 STAT1、STAT2 LED 亮起表示"检测到充电故障"、我测量了 BQ25751的 REGN 引脚、BQ25751内部的 REGN LDO 不再是5V、它为零(在一些其他损坏的电路板上、REGN LDO 输出约为1.2V)。

     

    我修改了 EVM 板、将充电电压设置为56V、并通过将电子负载设置为 CC 模式在 EVM 板上进行了相同的测试、EVM 板上运行良好。

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    我发现我们使用的芯片 BQ25751与 EVM 板上使用的芯片不同、EVM 板上的是 BQ2575X、而不是我们使用的 BQ25751。

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    您好、Lesheng:

    [报价 userid="540101" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470643/bq25751-bq25751-and-4-mosfet-were-easily-damaged-under-boost-charging-mode/5646388 #5646388"]我发现我们使用的芯片 BQ25751与 EVM 板上使用的芯片不同、在 EVM 板上是 BQ2575X、而不是我们使用的 BQ25751。

    EVM 上的 IC 应为 BQ25751、可能是来自具有不同顶部标记的不同批次。

    我将电子负载设置为 CC 模式并连接至电路板、

    电子负载应处于 CV 模式、并且您将设置它在 ICHG_REG 中消耗的电流。  我强烈建议在 VBAT 上使用2000µF 电容。

    此致、

    Christian。