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器件型号：TPS552882-Q1 工具与软件：
大家好/ Mulin Yuan
由于时间的原因,我以前的惊悚被锁定了。 我现在有机会更新此设计。 请您看看一下、看看现在的一切是否都很好！ 谢谢！
原理图： 
上述电容器之前的电源输入电容器： 
3D 视图： 
顶层： 
内部1 GND 层： 
内层2也是 GND 层： 
底层： 
IC 区域的近距离图像： 
提前感谢！
工具与软件：
大家好/ Mulin Yuan
由于时间的原因,我以前的惊悚被锁定了。 我现在有机会更新此设计。 请您看看一下、看看现在的一切是否都很好！ 谢谢！
原理图：
上述电容器之前的电源输入电容器：
3D 视图：
顶层：
内部1 GND 层：
内层2也是 GND 层：
底层：
IC 区域的近距离图像：
提前感谢！
尊敬的 Mattew：
关于原理图：
建议在 Vin 引脚上添加 RC 滤波器。
将 R63和 R64更改为1206/0805封装以实现功耗。
关于布局：
将 SW2迹线从 IC 加宽至电感器。 电流迹线太细。 您可以将 C62和 C63更改为0402封装、以节省空间。
RC 缓冲器位置基准：
在 IC 附近的 Vout 和 GND 平面中添加更多过孔、如下所示。
4.将 SW2过孔置于更靠近 DR1H 的位置。
其他的似乎不错。
此致、
Mulin
嗨、 Mulin Yuan
感谢您的回复、希望您有一个愉快的假期！
我已经更新了你提到的一切我认为! 我唯一不确定的是- 4. 让 SW2过孔更靠近 DR1H？ 此外、我在参考设计中看到、电感器下方的空间没有填充顶层 GND OMN、是否需要这样做？ 或者、是否可以按照以下方式提供此信息？
它现在看起来如何？ 感谢,这是很难完全从像这样的图像判断! 因此、我已尽可能多地添加了： 
IC 部分的缩小图像：
放置建议的缓冲器
再次感谢您的支持！
您好、Matthew：
抱歉、误认为是 SW1 VIA 和 DR1H。 您可以按如下方式将其更靠近放置。 其他的似乎不错。
此致、
Mulin
