主题中讨论的其他器件:LM5122
工具与软件:
大家好、我目前正在从事使用 Webench 电源设计器创建的设计、但发现我的 FET 和 LM5122无法正常工作。 看起来 SW 引脚灌入了过多电流并正在烧毁。 我将 IRFR4620TRLPBF N-MOSFET 用于低侧开关、并将 BSC160N15NS5ATMA1 N-MOSFET 用于高侧开关。
我的问题是、为什么我的 IC 和 FET 在当前设计下会出现故障?
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工具与软件:
大家好、我目前正在从事使用 Webench 电源设计器创建的设计、但发现我的 FET 和 LM5122无法正常工作。 看起来 SW 引脚灌入了过多电流并正在烧毁。 我将 IRFR4620TRLPBF N-MOSFET 用于低侧开关、并将 BSC160N15NS5ATMA1 N-MOSFET 用于高侧开关。
我的问题是、为什么我的 IC 和 FET 在当前设计下会出现故障?
您好!我的原理图是这样开始的: 
输入电压范围应为21V 至27V
输出电压应为100V
最大电流应为3A
我发现我的低侧 FET 发生了故障、我相信它不是我切换时的额定功率、所以我切换到了一个更高功率的 FET、但它没有损坏。
在添加了更高功耗的低侧 FET 后、我在输出端获得了99.7V 的电压。 然后、我为引导器加载了66欧姆的电阻、输出端电压降至60V。 不知道为什么会发生这种情况。 我的新问题是为什么会发生这种情况?
这里是我的开关输出波形。 它们非常嘈杂:

尊敬的 Joseph:
感谢您提供所有这些数据。
输出电压100V 非常接近 LM5122器件的绝对最大限值。
SW 引脚的额定电压为105V、这意味着开关节点上10%的过冲可能足以断开 IC。
正如您已经评论过的、MOSFET 需要支持相同的电压电平。
为便于确认、您可以在运行期间测量低侧 FET 的 Vgs 电压、以检查峰值电压是否高于105V。
为了克服这一限制、可能需要结合使用具有较高额定电压的外部驱动器和 LM5122器件。
此致、
Niklas
尊敬的 Joseph:
很遗憾、我没有找到与您的规格不匹配的参考设计。
输入/输出参数最接近的匹配项是 SEPIC 设计、其中 LM5122是异步使用、这意味着 SW 引脚连接 GND、并使用二极管来代替高侧 MOSFET。
https://www.ti.com/tool/PMP23320
但是、我确实看到过在常规升压拓扑中使用 LM5122以及以下外部驱动器的客户设计:
https://www.ti.com/product/de-de/UCC27211
它们的额定电压为120V。
此致、
Niklas