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[参考译文] BQ34Z100-R2:数据闪存摘要

Guru**** 2493565 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-R2, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1482640/bq34z100-r2-data-flash-summary

器件型号:BQ34Z100-R2
Thread 中讨论的其他器件: BQSTUDIO

工具与软件:

你(们)好

我正在自制 PCB 上使用 uC 控制 BQ34Z100-R2。

目前、可以对数据闪存中的数据进行读取和写入。

我想知道的是、BQ34Z100-R2 TRM 是什么意思、我在读取数据时实际读取的数据是不同的。

上述内容是 TRM 提供的数据闪存配置类的数据子类的内容。

                              图1

                                         图2

                                          图3

                                           图4

上面是实际从 BQ34Z100-R2读取的数据。

将 BQ34Z100-R2的 TRM 与我读取的数据进行比较时、数据匹配高达偏移量30。

(除非偏移13的"设计电能"值读作370 -> 5400、而偏移26的 JEITA T1值读作-10 -> 0。)

您可以看到3个字节已从偏移量31推回。

我知道图1、11中的 Device_Name [2]值代表用于 Device_Name 的字节大小。 是这样吗?

那么、这是否意味着​​偏移31和32的值​​分别变为"Voltage Scale"和"Curr Scale"的值?

下图是 TRM 提供的电池组配置寄存器位表。

在该表中、高字节的位5标记为"保留"。

上图取自 TI 论坛。

在这张图中、您可以看到高字节的位5已进行缩放。 这与 TRM 不同。

我正在查看的 TRM 版本是版本 A。从那时起、是否有任何更新?

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    Jeong、您好!


    此问题已分配、我们将立即予以解答。

    谢谢!
    艾伦

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    你好、Alan
    谁可以回答这个问题?
    我什么时候可以得到回复?
    除了 Alan 的消息、我没有收到任何回复。

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    您好!  

    我建议参考 BQStudio 中的位映射、因为这是最新的位映射。  

    此致、  

    Jonny。