[参考译文] LM34936：设计审查

尊敬的 Nagendra：

一定要检查原理图。 请将其与 填写完毕的  LM5176设计计算器分享 到该主题中？ 这是我们进行原理图审阅时最高效的工作流程。
 

此致、

 Stefan

您好、Stefan

你好。

感谢您发送编修。

我们可以通过邮件收到这篇评论吗！ 因为它将是非常简单高效的工作方式。

谢谢你。

Nagendra Prasad

尊敬的 Nagendra：

最有效、最快速的方式是 E2E 论坛、因为它会被团队每天跟踪和维护-因此、例如、即使我不在办公室、您也会得到回复

如果您担心在论坛中输入您的数据、可以通过私人消息发送此信息(将鼠标悬停在我的姓名上并选择私人消息)。

在这种情况下、还请在此处放置一条注释、指出您已发送私人消息。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

请查找设计和设计计算器。 请检查并告诉我您的评论。

链接- LM34936R 设计

谢谢。

此致、

Nagendra Prasad

尊敬的 Nagendra：

(在下面的列表项中、需要再次选中的项目标记为粗体)(注意：此处还列出了其他信息、用于概述所选中的项目)

快速入门计算器：

• 斜率补偿电容器比建议值低得多
• 由于损耗会变得非常高、因此无法在最低 VIN 下实现满载

原理图：

• 在 VISNS 处为2k 的串联电阻(如果 Vin > 40V、则需要、但建议在所有条件下使用、因为 VIN 在突发期间也可能会更高、仅 LM5176)
• BIAS 已连接
  如果 BIAS 未被使用、连接至 GND 或 VIN (不要保持打开)- BIAS 最大值= 40V！
• 模式：允许的电阻器
  (LM34936仅93k1200k 或 Vcc)
• 去耦电容器 VCC
  VCC 处的盖子足够大-检查与车尾箱盖的比率(至少5个)
• EN/UVLO 处的电容
  在 EN/UVLO 的低侧电阻器上添加电容器有助于避免启动时出现纹波、特别是选择极低的启动电压
• SW1和 SW2上的缓冲器 (或肖特基二极管)
  在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
   (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
  注意：为了获得更好的热性能、缓冲电阻器被连接到 GND 而非电感器

• 连接到 PGND 的缓冲器不感测电阻
  ->请勿连接到感应电阻器、以免缓冲器电流注入感应信号
• 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
  (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
  其他选项：并联添加一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
• 栅极电阻器<=5欧姆
• MOSFET 的额定电压
  (建议裕度为30%)
• 对 LM5176的电流检测(CS/CSG)使用开尔文连接
• 相对于最低输入电压的 UVLO 设置  

• 选择建议的电容器以进行斜率补偿。 最好使用下一个较低的值而不是较高的值(=斜坡补偿更大)
• 请检查整个范围内的相位裕度(建议> 60度)

布局清单(仅供参考)

(在下面的列表项中、需要再次选中的项标记为粗体)

• VCC 电容器、靠近引脚
• AGND 和 PGND 连接在散热焊盘上-是
• 散热焊盘中的过孔：散热焊盘可以获得更多过孔、从而更好地分配 LM5176的功率损耗
• AGND 岛
   -> AGND 电源区域有助于避免干扰注入 AGND 相关组件
• 与 CS/CSG 检测电阻的开尔文连接 ->中国国家电网(CSG)应使用专用导线来检测电阻、而非通过接地平面
• 与 ISNS+/-检测电阻器的开尔文连接(如果未使用、则短接至 GND)
• HDRV1/SW1的小电流环路(该导线包围的区域应尽可能小、最好两者兼得)
• HDRV2/SW2的小电流环路(该导线包围的区域应尽可能小、最好两者兼得)
• 输入电容接近 MOSFET
• 输出电容器接近 MOSFET
• FB 分压器靠近 LM517x

PDF 链接：
HTML 链接：
有关布局的其他信息可在此处找到：

(1)四开关降压/升压布局提示1：确定布局的关键器件

(2)四开关降压/升压布局提示2：优化功率级的热环路

(3)四开关降压/升压布局提示3：将差分检测线路与电源平面分离

(4)四开关降压/升压布局提示4：栅极驱动和返回路径布线

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

感谢您发送编修。  

让我检查一下并返回。 如果有任何断续会让你知道。

此致、

Nagendra Prasad

尊敬的 Nagendra：

正如您在计算表中看到的、选择3m Ω 时、建议的检测电阻为1.7m Ω。 因此控制器可能会检测到早已出现的过流。

我也对损失感到关切。 这表明在更高的电流下、已经存在超过10瓦的损耗、温度将增加200度。

适用于更低的输入电压。

电感器损耗也是如此。

对于该输出功率级别、您需要主动冷却或多相设计。

此致、

 Stefan

尊敬的 Nagendra：

感谢您的此次更新。
我建议仔细检查真实的硬件。

此致、

 Stefan

尊敬的 Nagendra：

仅供参考、无法再访问原理图-链接已过期

从更改列表和最后一项建议来看、似乎未反映以下各项：

• 连接到 PGND 的缓冲器不感测电阻
  ->请勿连接到感应电阻器、以免缓冲器电流注入感应信号
• 斜率补偿电容器比建议值低得多

回答您的问题：

1.输出功率:这不受控制器的限制,而是受外部组件,如电感器、MOSFET 等.. 以及 PCB 的热传导。

此致、

 Stefan