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[参考译文] TDA4VP-Q1:LVCMOS RX IBIS 模型

Guru**** 2468460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1458823/tda4vp-q1-lvcmos-rx-ibis-model

器件型号:TDA4VP-Q1

工具与软件:

您好、请使用此主题继续我们的电子邮件和 TI 内部 e2e 论坛讨论。

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    您好!
    如前所述、在将 TDA 用作 RGMII Rx 时、我会看到有意义的纹波。
    这些纹波取决于 PVT 和上升时间。  
    请查看以下的图、其中包含:
     PVT 最大值时的 TDA (DS-LVCMOS0_FAST)
    2. TX 是一款理想的50欧姆驱动器、TR-0.4ns、clk 模式4ns UI。
    3.调试-与 TDA ibis 文件中的 RLC 电路使用了相同的设置、并与第三方 RGMII Rx RLC 进行了比较。


    请参阅下图、了解 PVT 最大值(纹波最强):


    我怀疑根本原因在 RLC 的频域中-请查看下面的回波损耗图:

    正在等待回复、

    Yoel

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    尊敬的 Yoel:

    您能否尝试此具有更新的 LVCMOS 和 SDIO 缓冲器的 IBIS 模型?

    e2e.ti.com/.../j784s4_5F00_v0p2.ibs

    此致、
    标记

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    尊敬的 Mark:
    波纹似乎有所衰减。  

    您是否同意我关于 RLC 共振的假设?  
    如果是、您认为这是建模问题、还是我们在实验中可能遇到的实际情形?




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    尊敬的 Yoel:

    感谢您提供0p1和0p2两种模型的绘图—更新后的 LVCMOS 模型看起来更好。

    为了排除任何 IBIS 问题、您能否使用竞争对手的 RLC 值替换我们的 RLC 值、看看问题是否仍然存在?

    使用 HyperLynx、我使用第三方 TX 对同一第三方 RX 运行了仿真。 结果与 第三方 TX to TI RX 类似。 我们建议与第三方合作、了解通过其 TX 提高信号完整性的选项。

    参数:

    • 传输线路- 50欧姆、0.4 ns 延迟
    • 激励- 125 MHz 振荡器、50%占空比
    • PVT -快-强
    • 第三方 ipp_sre[2:0]- 0b110 (我认为这是您使用的设置)

    第三方 TX 与第三方 RX

    第三方 TX 到 TI RX

    此致、
    标记

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    尊敬的 Mark:
    为了澄清、在我发送的所有近期图中、我使用了上升时间为0.4ns 的理想50 Ω 驱动器、而不是第三方 Tx。
    以下是第三方 PVT 最大值处的电压图 RLC 与 IBIS 之间的关系、验证不存在 IBIS 建模问题。


    关于您发送的图表、不确定具体使用了什么、但看起来您具有几乎4.5V 的峰值电压和-1V 的最小电压 您确定自己的设置了吗? 对于 RGMII 来说不合理,据我所知……

    总之、我有一个理想的50欧姆驱动器、我使用 ibis 和 RLC 测试2个不同的接收器。  
    借助 TI、我可以在典型值和最大 PVT (ibis 和 RLC)下获得强纹波、但第三方没有。
    我可以看到 TI RLC 电路在上升时间的 BW 处产生显著谐振、这也导致了纹波。

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    尊敬的 Yoel:

    我与我们的仿真专家交谈、他 建议使用[封装模型]部分而不是[封装]部分的 RLC 值。 [封装模型]部分具有针对给定相关引脚的 RLC 值、而[Package]部分具有针对典型引脚的 RLC 值。

    为了方便起见、以下是器件上引脚 B37的 RLC 值(位于[封装模型]部分):

    • R:0.876888
    • L: 4.92653e-09
    • C: 2.52692e-12

    此致、
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