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[参考译文] TDA4VH-Q1：上电序列内的 VDDAR_MCU

admin
Guru**** 2411460 points
Other Parts Discussed in Thread: J784S4XEVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1481785/tda4vh-q1-vddar_mcu-within-the-power-up-sequence

器件型号：TDA4VH-Q1
主题中讨论的其他器件：J784S4XEVM

工具与软件：

《TDAxx 处理器规范》(SPRSP79B)的相关说明

在第6.10.2.2章 MCU 和主域组合上电时序中、VDDAR_MCU 电压在 T3处斜升、并注释(i)指出"在任一种情况下、VDDAR 电源都必须在 T3斜升。"

但在第6.10.2.4章隔离式 MCU 和主域中、对 VDDAR_MCU 斜坡进行上电排序、使其在 t2处斜升。

组合域和隔离域的上电顺序之间是否存在这种差异？

如果 MCU 和主域相结合、VDDAR_MCU 应与 PMIC buck3供电的 VDDAR_CORE 和 VDDAR_CPU 连接在一起、

如果具有隔离 MCU 和主域、VDDAR_MCU 是否应与 PMIC Buck5供电的 VDD_MCU 连接在一起(评估板设计 J784S4XEVM 中也已执行此操作)？

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    TI__Guru**** 2411460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于组合的 MCU 域和主域：

    VDD_MCU 是一个具有宽工作电压范围的数字电压域、因此可将其与 VDDAR_MCU 域或 VDD_CORE 分组；

    • 有关"组合的 MCU 和主域上电时序"、
      • VDD_MCU 可与 VDD_CORE、和进行分组
      • VDDAR_MCU 可以使用 VDDAR_CPU 和 VDDAR_CORE 分组。
    • 如果 VDD_MCU 与 VDD_CORE 分组、则 VDD_MCU 必须从公共电压资源斜升、T2处的 VDD_CORE 为0.8V。
    • 如果 VDD_MCU 未与 VDD_CORE 分组、则 VDD_MCU 必须在 T2之前斜升。
    • 在任一种情况下、VDDAR 电源都必须斜升至 T3。

    隔离式 MCU 和主域

    VDD_MCU 是一个具有宽工作电压范围的数字电压域、因此可将其与 VDDAR_MCU 域或 VDD_CORE 分组；

    • 有关"隔离 MCU 和主域上电时序"、
      • VDD_MCU 可以与 VDDAR_MCU 分组；VDD_MCU 必须在 t2之前斜升。
    • 如果 VDDAR_MCU 未与 VDD_MCU 分组、则必须在 T3斜升

    -->如果 MCU 域和主域是(电压)隔离的、则 VDD_MCU 不能与 VDD_CORE 组合。 在这两种情况下、如果 VDD_MCU 和 VDD_CORE 未分组、则 VDD_MCU 应在 t2之前斜升。 (我以黄色突出显示了这两项陈述。)

    如果 VDD_MCU 和 VDD_CORE 连接在一起、则它们都在 t2处斜升。

    不确定我是否回答了您的问题...

    Kevin