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器件型号：DRA829V-Q1 主题中讨论的其他器件：DRA829、 DRA821
工具与软件：
您好！
我们已经看到 VSYS_MCUIO_3V3 (U22)和 VSYS_IO_3V3 (U6)存在泄漏问题。 两个电源 轨均由 VSYS_3V3供电、每个电源轨由负载开关控制(请参阅随附的原理图)。
在禁用 PMIC_EN 期间、我们可以看到 VSYS_IO_3V3上的电压仅下降到~1、76V、而 VSYS_MCUIO_3V3下降到~1、5V (请参阅随附的图片1和2)。
我们已经验证了两个负载开关 U6和 U22已通过控制信号完全禁用(已确认低电平状态)。
对于 VSYS_MCUIO_3V3、我们发现、当 VOUT_LDOVINT (PMICA 和 PMICB)被禁用(LP_STANDBY_SEL=1)时、漏电压降至~0.8V。
我们 移除了 连接到 VSYS_IO_3V3的所有外设、只能在不同的负载(外设)与电源轨断开连接时看到电压增加。
我们现在的结论是、泄漏源 仅来自 MPU (DRA829VMT0CALFRQ1)。
上电和断电序列受此泄漏影响、 不能满足 DRA829数据表中断电/上电时序图的要求。
我们的测试没有看到任何对性能产生影响的负面影响、但由于上电和 断电顺序未得到满足、我们希望您对此进行确认
数据表的说明。
如果电源轨(VSYS_MCUIO_3V3和 VSYS_IO_3V3 )未完全关闭、这是否会以任何方式影响性能？
感谢您的支持！
此致
/Mathias Sixtander
Picture1： VSYS_MCUIO_3V3上的泄漏电流
Picture2：VSYS_IO_3V3上出现泄漏
