[参考译文] TDA4VEN-Q1：南亚 DDR 适应问题

尊敬的 Xingyu：

很抱歉、我很久没有更新此主题的状态。 因为我们目前正在与 Nanya 的工程师沟通 DDR 参数的细节和进行工作台压力测试。 现在同步当前情况。

所有修改均基于 libiao 之前提供的 ALL(20).zip 进行。

1) DDRSS_PHY_67_DATA 0x00000004 -> 0x00000104

DDRSS_PHY_323_DATA 0x00000004 -> 0x00000104

DDRSS_PHY_579_DATA 0x00000004 -> 0x00000104

DDRSS_PHY_835_DATA 0x00000004 -> 0x00000104

2)将 DQ ODT 从48欧姆修改为40欧姆。

根据上述两项修改、我们在测试台上针对392个环路执行了"memtester 1G"测试。 在测试过程中、我们发现循环52和233出现失败错误、日志如下："走零：测试13故障：0x00000200000002000！=0x0000000 2000、偏移为0x00000001ad5F1"。

在这种情况下、我添加了以下修改。 目前、测试台上的 memtester 测试了210个环路、未报告任何错误、且测试仍在进行中

3)将 CA ODT 从80欧姆修改为60欧姆。

此致。