Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH
工具/软件：
尊敬的 TI 专家：
我正在使用 am62a7-Q1 定制 电路板。 我已尝试使用 SD 卡和 UART 进行引导。
尝试引导 ROM SD 卡时：-
我的主板在以下日志后卡住:-
然后我尝试从 UART 引导并刷写二进制文件。
sbl_uart_uniflash_stage1.release.hs_fs.tiimage stage1 完全刷写
2. sbl_uart_uniflash_stage2.release.appimage.hs_fs 无法刷写
下面的日志我在刷新时得到:-
我尝试调试代码、发现 DDR 未正确初始化。
我发现 DDR0_RESET0_N (SOC 焊球 — P6) 在特定点变为高电平。
下图突出显示了 DDR0_RESET0_N 变为高电平的行。
我们的 DDR 器件型号与 EVM 板相同
DDR 温度等级和修订版本号只有差异
我们的电路板 DDR 器件型号 — MT53E1G32D2FW-046 AAT：C
EVM 板 DDR 器件型号 — MT53E1G32D2FW-046 AUT：B
我已经尝试使用工具生成的不同 DDR 配置
其中一些变化如下：
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FSP2 频率 (MHz) 800MHz
DDR 密度（每通道）(GB) 16
工作温度范围：–40°C 至 105°C
不工作
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FSP2 频率 (MHz) 800MHz
DDR 密度（每通道）(GB) 16
工作温度范围：–40°C 至 105°C
终端：CA ODT (FSP2)- 40 欧姆
不工作
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FSP2 频率 (MHz) 800MHz
DDR 密度（每通道）(GB) 16
工作温度范围：–40°C 至 105°C
终端：CA ODT (FSP2)- 80 欧姆
不工作
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FSP2 频率 (MHz) 800MHz
DDR 密度（每通道）(GB) 16
工作温度范围：–40°C 至 105°C
终端：CA ODT (FSP2)- 40 欧姆
终端：DQ ODT (FSP2)- 60 Ω
不工作
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我已根据这些更改构建了 SBL、但仍然存在相同的问题。
您能帮助我们生成 DDR 配置吗？是否有任何建议？
此致
Satyajeet Singh
