[参考译文] AM625：GPIO：驱动强度控制

尊敬的 Alexander：

DRV_STR 位值将于 10 月进入 SysConfig 工具的一个新版本。 我可以检查是否可以获得这些值。 我想这不应该是个问题。

此致、

Stan

感谢您发送编修。
我很感激在正式工具发布之前提供的任何初步信息、因为我们正处于硬件开发的这一阶段、我们正在尝试降低 EMI 水平、这肯定会对我们有所帮助！

Alexander。

亚历山大,你是受欢迎的！

亲爱的斯坦尼斯拉夫

您提到、未来的 SysConfig 工具将支持焊盘配置寄存器中 DRV_STR 位的 4 个值中至少 3 个值。 我可以问一下、此更改是否会对上述 CPU GPIO 产生任何影响？ 因为在 【常见问题解答】AM625 / AM623 / AM620-Q1 / AM62Ax / AM62Px / AM62D-Q1 / AM62L / AM64x / AM243x 设计建议/定制电路板硬件设计 — LVCMOS 和 SDIO I/O 的驱动强度配置中 、人们表达了一个完全相反的意见。

此致
彼得

您好、Peter、

问得好。 我在这里发布的是 2 位的功能含义。 常见问题解答在 2025 年第 4 季度之前仍是有关驱动强度的官方建议。 例如、我听说现在打算增加对 Fast 的支持。

您好、Peter、  

建议遵循常见问题解答。 常见问题解答将在结果可用时更新。

设计和验证团队目前正在努力（在内部仿真）、以实现 LVCMOS IO 的 NOM 和快速驱动强度。

仿真和测试结果应在 Q4 期间提供（包括能够使用 SysConfig 进行配置）。  

如果您有快速驱动强度测试用例、请与支持您的项目的 TI FIED 团队合作、以推进讨论。

此致、

Sreenivasa.  

亲爱的 Sreenivasa

实际上、我们对“慢速“驱动强度比“快速“模式更感兴趣。 但是、我们对 2025 年第四季度的成果非常感兴趣、我们将继续关注。

此致
彼得

您好、Peter、

我必须检查是否有支持慢速驱动强度的计划。

让我进行内部检查。

LVCMOS IO 的驱动强度为 60R 标称值。

帮助我了解需要增加阻抗的用例。

此致、

Sreenivasa.

亲爱的 Sreenivasa

基本上、我们希望减少因过高和不必要的压摆率而产生的辐射发射。  我们电路板系统中的一些网不需要如此强的驱动强度、因此这些 GPIO 应配置为慢速驱动强度。

原则:尽可能少,尽可能多。

此致
彼得

如果“慢“选项成为可能、我们的项目也可能在 EMI 方面受益

您好 Jorgen、

谢谢你。

帮助我了解 用例。

我可以向设计和验证团队提供反馈、以便在将来增加功能。

此致、

Sreenivasa.

您好 Sreenivasa

在典型的系统中、您有许多静态或半静态 I/O。 这些 I/O 线路由快速/低阻抗输出驱动时、会因感应噪声产生电流而充当天线。 如果源阻抗升高、电流将降低、发射的 RF 将降低。 此外、通过具有较小上升时间的信号提供非静态线路时、会在线路中产生大电流、然后返回到 I/O 驱动器上的去耦电容器、这也会影响发射的噪声频谱。 显然、许多信号还需要 I/O 端口的全速、因此其他端口驱动强度也非常重要。 我们正在分析处于 700 –800MHz 区域的问题、以及一些杂散峰值、我们可以通过在线路中使用电阻器来解决。 但仍然能够设置相关的参数会很好。

此致

Jørgen μ s  

尊敬的 Jorgen：

我相信 Sreenivasa 向验证团队提供了反馈。  

此致、

Stan

期待实现这一可能性。 非常感谢。

此致

Jørgen μ s

您好 Jorgen、  

感谢您的意见。

请按照以下常见问题解答了解任何更新。 我将更新常见问题解答、因为我们启用了驱动强度支持。

LVCMOS 的电流焦点为 NOM 和 FAST。  

此致、

Sreenivasa.  

尊敬的  Sreenivasa：

难道不是这样吗、该线程中的 2/2 个客户会很乐意获得对慢速度的支持吗？ ;-)

Alexander。

我不能同意更多！ :-D

大家好！  

感谢您对器件改进的意见。  

当前焦点是 LVCMOS 的 NOM 和 FAST。  [/报价]

这是目前对团队的关注、因此我希望确保我能告诉您。

感谢您提供的意见。 我来联系器件专家、了解他对申请的想法以及支持慢速驱动强度所面临的挑战

此致、

Sreenivasa.