[参考译文] AM6442：连接到 GND 或 VCC 和支持的拉电阻时 TMDS64EVM 上的 GPIO 行为

您好 Pradeepraj、  

感谢您的查询。

当 GPIO 配置为时 输出 并驱动为高电平或低电平。

这不是有效的用例、因此不建议这样做。

LVCMOS 缓冲器的输出阻抗为 60R、SDIO 缓冲器为 40R。

建议执行仿真  

当 GPIO 配置为时 发生正转换 .

这应该是一个有效的用例

不应担心。

EVM 或 SoC 上是否有任何内部保护机制、以防止配置错误时造成损坏？

针对您所述的用例实现了 NIT 内部保护机制。

此致、

Sreenivasa.

您好 Pradeepraj、  

请注意、IO 以 IO 组 VDDSHV0..6 的 IO 双电压 IO 电源为基准

外部 IO 输入应与连接的 IO 电源匹配。

大多数 SOC IO 都没有失效防护功能。

在 SOC IO 电源斜升之前、不应施加任何输入。

此致、

Sreenivasa.

您好、

AM6442 中提供的 GPIO 内部上拉/下拉电阻器是什么

此致、

Pradeepraj M

您好 Pradeepraj、  

谢谢你。

我假设您的查询与上拉电阻值相关。

请参阅 数据表的电气特性部分：

I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性

这些类型的 IO 缓冲器不支持内部拉电阻、需要连接外部拉电阻  

eMMCPHY 电气特性

AM644x 实现硬宏 ePHY（专用功能）

复位期间和复位后启用上拉电阻器

SDIO 电气特性

内部拉电阻在复位期间和复位后关闭、直到主机软件配置所需的拉电阻

LVCMOS 电气特性

内部拉电阻在复位期间和复位后关闭、直到主机软件配置所需的拉电阻

此致、

Sreenivasa.