器件型号： TDA4VE-Q1
主题中讨论的其他器件： TDA4VL
尊敬的 TI 专家：
我们使用 TDA4VL 作为工程解决方案、并通过 2.2K 上拉电阻将 I2C0 接口直接连接到 PMIC (TPS6594133)。
I2C 在快速模式 (400kHz) 下运行
根据硬件测试、我们发现 TLOW 时间无法满足数据表中的要求。 占空比时间约为 50%、这意味着当 SCL 频率为 400kHz 时、TLOW 等于 THIGH、约为 1.25uS。 但数据表仅显示、TLOW 的最小值为 1.3uS。 我们如何满足这一要求？ 我们可以通过设置寄存器来更改占空比时间吗？
BTW、测得的 tLOW 值为 1.22uS。
尊敬的晋中市：
您应该能够通过 I2C_SCLL 寄存器调整 TLOW、如下所示。
此致、
英里
尊敬的晋中市：
您能否确认所使用的 I2C 实例？
数据表的第 6.10.5.12 节提到、使用 LVCMOS IO 缓冲器的 I2C 实例将存在这种下降时间违例。 您可以在 表 5-1 中确定接口是使用 LVCMOS 还是 I2C 开漏缓冲器。 引脚属性。
下降时间违例不太可能导致任何问题、但这取决于与之通信的器件。 如果该器件对下降时间违规很敏感、您是否能够将 I2C 接口更改为使用开漏缓冲器的接口？
此致、
英里
您好：Miles、
感谢您及时回复！
是 LVCMOS 模式。 我们如何将 I2C 接口更改为开漏缓冲器？
谢谢！
此致、
尊敬的晋中市：
使用开漏缓冲器的 I2C 接口如下： WKUP_I2C0、MCU_I2C0 和 I2C0。 您是否能够切换到使用 MCU_I2C0？
如需更多信息、请参阅 TRM 的第 5.5.18 I2C 部分。
此致、
英里
