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[参考译文] TDA4VEN-Q1:系统启动期间 GPIO 的状态

Guru**** 2805425 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1622389/tda4ven-q1-state-of-gpio-during-system-startup

器件型号: TDA4VEN-Q1

你(们)好

 

和 J722S EVM 相关的评估板、
启动时出现电源干扰。

对于电路调试、当信号线连接到 GPIO1_8 (A26) 时
TDA4VEN 的最后一个上拉至 VSYS_3V3、VDDSHV0(单独的)
电源、按比平时更快的顺序上电。

由于 GPIO1_8 为 LVCMOS 类型、因此应该会创建一条直流路径
以使 VDDSHV0(通过 IO 的 P-MOS 晶体管)。

是正确的推理、GPIO1_8 将用作 VDDSHV0 的直流路径
是否在系统启动期间?
(系统启动时 GPIO1_8 的状态是什么?)

 

VDDSHV0_BOOT_trouble.png

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    尊敬的 Furuna:

    感谢您的查询。 数据表中的表 5.1 显示了复位期间和复位置为无效后的默认引脚行为。 对于 A26、该引脚应悬空。 请参阅下表。

    此致、

    英里

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    您好:Miles、

    感谢您的答复。

    关于 A26、您提到“引脚 应为 悬空“、但我知道表 5-1 说明了复位期间和复位后 IO 的状态;这是否不正确?

    如果外部电路中连接了负载、那么即使在复位期间、A26 引脚也将用作 H 输出是否正确?

    在我们进行的操作检查中、A26 引脚表现出好像 P-MOS 晶体管导通一样的行为。

    此致、

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    Furuna,

    对于引脚 A26、在复位期间禁用 TX 缓冲器、这意味着 P-MOS 晶体管应该关闭。 随着电源斜升、这会导致总线被连接到 VSYS_3V3 电源的电阻器拉至高电平。  

    您是否还能够在捕获中提供 MCU_PORz 信号?

    此致、

    英里

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    你(们)好 英里、

    在复位期间、了解 A26 引脚处于高阻抗状态是否正确、

    VDDSHV0 电源和总线(上拉至 VSYS_3V3)使用高直流电阻连接?

    我添加了 MCU_PORz 信号。

    但是、由于 MCU_PORz 是将 PMIC RSTOUT 输出输入到 SoC 的信号、因此我们 认为它不适合

    监控 SoC 侧 IO 状态的目的。

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    尊敬的 Furuna:

    感谢您提供 MCU_PORz 信号。 它有助于在问题发生时阐明 IO 的复位状态。  

    是的、A26 在复位期间处于高阻抗状态、在发生问题时、我确实觉得 VDDSHV0 电源导轨由带有高直流电阻的 VSYS_3V3 电源上拉。 但是、我不确定这是如何发生的。  

    在我详细探究这些内容的同时、您能回答这个测量是在仿真还是在物理板上进行?

    此致、

    英里

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    您好:Miles、  

    物理板上进行测量的。

    请告诉我处于高阻抗状态的上拉侧的阻抗。

    此致、

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    尊敬的 Furuna:

    深入探究一下、通过在 GPIO 电源 (VDDSHV0) 之前将 VSYS_3V3 电源轨和 GPIO 引脚置于高电平、GPIO 引脚上的稳态最大电压超出 IO 电源电压(当前为 0V)+ 0.3V 的最大电压规格。 这会导致 PMOS 反向偏置、然后导致 IO 电源跟随 VSYS_3V3 电源。 您可以在数据表的表 6.1 中找到以下规格。

    您是能够使用 VDDSHV0 本身还是在 VDDSHV0 之后提供的电源上拉总线?

    此致、

    英里

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    你(们)好 英里

    感谢您的解释。 我明白了。

    我将根据电源序列来修改电路。

    此致、