[FAQ] [参考译文] 【常见问题解答】AM2434：了解串行 QSPI 闪存的 QE 位配置

什么是 QE 位？

四路使能 (QE) 位是状态寄存器中的非易失性读取/写入位、出厂默认值为“0"，“，在、在执行任何四路 I/O 操作之前、该位必须设置为“1"。“。 当 QE 为“0"时“时、该器件在单 I/O 模式下运行并忽略所有四通道命令、但设置为“1"时“时、会启用四通道 I/O 模式、从而使该器件能够通过四通道 I/O 接口支持四路读取/写入命令和输出数据。

不同闪存器件的 QE 位配置

QE 位基于闪存器件位于状态寄存器的不同位置。

a)。 对于属于 Macronix 的闪存器件（例如 MX25L25645G、MX25L323F、MX25UW12845G）  以及来自 ISSI 的闪存器件  （例如 IS25LP256D、IS25WP256D）- QE 位是状态寄存器 1 的位 6 或第 7 位。

b)。 对于属于 GigaDevice（例如 GD25B64C）、Renesas（例如 AT25SF641）和 Winbond（例如 W25Q256JV、W25Q128JW、W25Q128JV-DTR、W25Q512JV） 的闪存器件、QE 位是状态寄存器–2 的位 1 或第 0 位。

c)。 对于属于 Infineon 的闪存器件（例如 S25FL128S、S25FL256S）、QE 位被命名为四位、即配置寄存器 1 的位 1 或第 0 位。

例外情况

一些闪存具有不同的配置来设置 QE 位

a)。 对于 Infineon 的闪存部分 S25HL512T 串行 NOR QSPI 闪存部分、配置寄存器 1 的位 1 或第 0 位有一个 QUADIT 位可启用 1-1-4 和 1-4-4 协议。

同一闪存部分还具有配置寄存器 2 的位–1 作为 QPI-IT 位来启用 4-4-4 协议。

b)。 某些闪存器件没有 QE 位、例如 Winbond 的 W25N04KW 串行 NAND QSPI 闪存器件。

c)。 某些闪存器件将 QE 位设置为出厂默认值。 在这种情况下、QE 位已设置且无需再次设置、例如 Winbond 的 W25Q256JVxxQ 串行 NOR QSPI 闪存器件、ISSI 的 IS25LP256Q-xxxx-xx 串行 NOR QSPI 闪存器件和 GD25B64C 串行 NOR QSPI 闪存、QE 位的默认值为 1、无法更改。

ROM 是否设置 QE 位？

否、ROM 无法设置 QE 位。 ROM 只能从闪存读取数据、因此无法写入任何数据或设置闪存中的任何位。 因此、ROM 不会发送任何命令序列来进入四通道模式。

建议
建议选择出厂时预先设置了 QE 位的闪存器件、例如 W25Q256JVxxQ、它可以在四通道 SPI 模式下直接引导。

但是、如果使用没有出厂设置的 QE 位（例如 W25Q256JVxxM）的闪存器件、请验证 QE 位是否为非易失性并且位于状态寄存器中。 此配置允许系统最初以传统 SPI 模式 (1s-1s-1s) 引导、之后可以在运行时对 QE 位进行编程。 由于 QE 位是非易失性的、它将在下电上电期间保留其值、从而能够在四通道 SPI 模式下直接进行后续启动、而无需重新配置。