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器件型号：TDA4VM
TDA4VM SOC 选择的 LPDDR4是 SASUNGM 的 K4FBE3D4HMTFCL。 下面是一个问题：
a.客户使用10层电路板设计、DDR 部分参考16层电路板设计来布线；
b. LPDDR4 CLK 是一个差分电阻为70欧姆的 T 形迹线；
C：对于 T 部分、无法实现140欧姆阻抗、客户的电流做法是不进行阻抗控制。
问题：调试时应考虑什么或哪些注意事项？
非常感谢！
此致、
樱桃周
