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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/829059/am5718-ddr-ball-state
大家好、我刚刚意识到 AM5718和 AM5728之间有几个 DDR 信号具有不同的焊球复位状态和复位释放状态。 例如，AM5718上的 DDR1_cke 是 pu，驱动器1与 AM5728 PD，驱动器0。
这些不同的焊球状态是否会影响旨在实现 AM5728和 AM5718之间兼容设计的 DDR 电路设计？
关于信号 DDR_cke 的另一个问题是、AM5728 GP EVM 上有4.7KOHM 下拉电阻器、但 AM5718 IDK EVM 上没有该电阻器、AM5718是否也必须该电阻器？
您好！
您应该注意、仅当器件处于复位状态时、内部拉电阻器才有效。 在复位释放时、拉动关闭。 但是、这2个器件确实会在 CKE 上驱动不同的电平。 这不会影响设计兼容性、因为此时不会初始化 EMIF。 关于外部下拉、我建议将其放置在定制板上。 它的功能是在处理器进入低功耗模式时将 CKE 拉低、并且 DDR 被置于自刷新模式。
