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[参考译文] AM3352：Vtt 上观察到1.5V 过冲

admin
Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: AM3352

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/572331/am3352-1-5v-overshoot-observed-on-vtt

器件型号：AM3352

尊敬的香榭丽舍

我的客户在启动时发现 VTT 的稳压器中存在1.5V 过冲、他们认为该过冲是由 AM335x 引起的。

他们担心这种过冲会影响 IC、因此应消除这种过冲。

您认为过冲是可以的吗？ 还是应消除该过冲？

您能否 在下面查看他们的 VTT 硬件原理图？

当然、我要让它们将电阻器更改为50Ohm、还有什么其他方法可以解决这个问题？

谢谢、此致、

SI

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    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 SI、

    从发布的原理图中看不到 IC1901的器件型号。 我看到的误差是33欧姆端接(应为50欧姆)和 ZR1911、必须将其移除。 我看不到 DDR 时钟线是如何端接的。 Vtt 轨上没有足够的去耦电容器。

    除此之外、我看不到 AM335x 是如何引起过冲的。
  • 0
    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Biser、

    感谢您的即时响应。

    您是说 ZR1911 (0欧姆)应该断开连接、对吧？

    我还按如下方式连接了 DDR 时钟线。 此外、我发现 AM3352的 DDR_VREF 未连接到 DDR3存储器的 VREF。

    下面是 DDR3存储器的一部分。

    下面是 AM3352中用于 DDR_VREF 的部分。

    谢谢、此致、

    SI

  • 0
    TI__Guru**** 2551110 points
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    有关 ZR1911 (0欧姆)、是的、必须将其移除。
    关于 VREF、您是正确的、处理器和存储器应该有一个通用基准。
    关于 DDR 时钟终端、同样、33欧姆电阻器应更改为50欧姆。
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    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Biser、

    感谢您的评论。

    是否应该检查其他内容？

    我发现连接到 Vtt 的电容值在入门套件和 GP EVM 之间是不同的。 您对 VTT 的 CAP 值有何建议？

    GP EVM 似乎使用了0.1uF、SK EVM 似乎使用了10uF。

    * GP_EVM

    * AM335x SK

    谢谢、此致、

    SI

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    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    应同时使用这两种方法。 10uF 是大容量去耦电容器。 100nF 是 HF 去耦电容器、应放置在靠近端接电阻器的位置。