[参考译文] 66AK2G02：晶体负载电容公式

admin

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器件型号：66AK2G02

大家好、

我尝试评论现有帖子、但我认为我应该打开一个新帖子、以确保它得到一些关注。

你们能评论一下数据表方程和 EVM 之间的差异吗、如下一篇文章所述？我的客户正在尝试最终确定他们的设计...

谢谢！

Brian

0 admin 8 年多前

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您好 Brian、

我已将此事转发给设计专家。他们的反馈应发布在此处。

BR
Tsvetolin Shulev

0 admin 8 年多前

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您好 Brian、

有几个因素导致了所选的值。与大多数 EVM 一样、电路板是在提供最终文档之前设计的。这决定了晶体的选择、因为 PCB 上使用的封装尺寸。数据表中的公式根据所安装晶体的负载给出了理想的 CL 值。表5-5指定了 CL 的最大值为24pF。我们选择的值应尽可能接近计算值、但不超过 CL 最大规格。

此致、

Bill

0 admin 8 年多前

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因此、我想您说的是继续、相信数据表方程具有最高优先级。您能否确认以下两项陈述是否正确？：

表5-5中的 CL 规范并未涉及晶体负载电容、而是定义 CF1和 CF2的重复规范、就像表5-13一样。

2.如果您使用图5-7中的公式以及表5-13中的 CF1和 CF2规格、则：

将 cf1/cf2 min 12pF 代入方程式可得到6pF 晶体负载电容

将 CF1/CF2最大值24pF 插入方程可得到12pF 的晶体负载电容

因此、EVM 上的晶体在技术上超出规格、我们需要粘附负载电容在6pF-12pF 之间的晶体

谢谢、

Brian

0 admin 8 年多前

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您好 Brian、

正确的、表5-5指定了 CF1和 CF2的限制。我将与数据手册所有者核实这是否应合并。晶体超出规格、但公式还应包括与 PCB 布局相关的杂散电容。 (CL =(C1 * C2)/(C1 + C2)+杂散)。通常、杂散电容的值相当低。这会使您的距离稍微增大。

此致、

Bill

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